功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管也是一種晶體三極管，也有三個(gè)極，分別叫源極S，柵極G，漏極D。

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)點(diǎn)

1、具有較高的開(kāi)關(guān)速度。

2、 具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。

3、具有較高的可靠性。

4、 具有較強(qiáng)的過(guò)載能力。短時(shí)過(guò)載能力通常額定值的4倍。

5、具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時(shí)，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時(shí)，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓。給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大地方便。

6、由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電機(jī)調(diào)速，開(kāi)關(guān)電源等各種領(lǐng)域應(yīng)用的非常廣泛。