雙向可控硅觸發(fā)電路圖一：

　　為了提高效率，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產(chǎn)生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。

　　雙向可控硅觸發(fā)電路圖二：

　　電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當單片機80C51的P1.0引腳輸出負脈沖信號時T2導通，MOC3061導通，觸發(fā)BCR導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感性交流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向導通，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個RC阻容吸收電路，實現(xiàn)雙向可控硅過電壓保護，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。

　　雙向可控硅觸發(fā)電路圖三：

　　此時無論是打開開關、和關閉開關（驅動MOC306或者不驅動MOC3061）可控硅都是導通的，即不能關閉可控硅，百般糾結和查看資料后才發(fā)現(xiàn)G極和T1之間的關系，安照這個電路接的話，不管J3開路時，G極的電壓等于T2的電壓，當交流電流過雙向可控硅時，G極與T1之間總存在一個電壓差，即T1與T2之間的電壓差，這個電壓差就導通了可控硅，所以雙向可控硅雖然沒有正、負極的區(qū)別，卻有T1、T2的區(qū)別。