雙向可控硅觸發(fā)電路圖一：
為了提高效率，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)大于4V，脈沖寬度應(yīng)大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當(dāng)正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導(dǎo)通，產(chǎn)生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務(wù)子程序中使用定時器累計移相時間，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖二：
電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當(dāng)單片機80C51的P1.0引腳輸出負脈沖信號時T2導(dǎo)通，MOC3061導(dǎo)通，觸發(fā)BCR導(dǎo)通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感性交流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當(dāng)負載電流為零時，電源電壓為反向電壓，加上感性負載自感電動勢el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠遠超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)ǎ菀讚舸时仨毷闺p向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個RC阻容吸收電路，實現(xiàn)雙向可控硅過電壓保護，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖三：
此時無論是打開開關(guān)、和關(guān)閉開關(guān)（驅(qū)動MOC306或者不驅(qū)動MOC3061）可控硅都是導(dǎo)通的，即不能關(guān)閉可控硅，百般糾結(jié)和查看資料后才發(fā)現(xiàn)G極和T1之間的關(guān)系，安照這個電路接的話，不管J3開路時，G極的電壓等于T2的電壓，當(dāng)交流電流過雙向可控硅時，G極與T1之間總存在一個電壓差，即T1與T2之間的電壓差，這個電壓差就導(dǎo)通了可控硅，所以雙向可控硅雖然沒有正、負極的區(qū)別，卻有T1、T2的區(qū)別。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖四：
如下圖所示，當(dāng)電網(wǎng)電壓小于220V時，雙向可控硅SCR2控制極上的電壓也隨電網(wǎng)電壓減小而降低，致使VD2導(dǎo)通角小，C1端電壓上升，從而使雙向可控硅SCRl控制極電壓升高，使輸出電壓上升。反之，輸出電壓下降，達到穩(wěn)壓。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖五：
所示，左側(cè)為兩個30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA，由于該路僅僅是為了提取交流信號，因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一個光耦（P521），這樣如圖1整流后信號電壓值超過光耦前段二極管的導(dǎo)通電壓時，即產(chǎn)生一次脈沖，光耦右側(cè)為一上拉電路，VCC為單片機供電電壓：+3.3V。光耦三極管導(dǎo)通時，輸出低電平，關(guān)閉時輸出高電平。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖六：
VDI、VD2、Cl與C2組成簡單的電容降壓半被整流電源，通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構(gòu)成光控電路，白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻，VT基極電位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到觸發(fā)電壓而處于關(guān)斷狀態(tài)，燈H不亮。夜間，VD3無光線照射呈高電阻，VT的基極電位上升，VT導(dǎo)通，就向vs注入正向觸發(fā)電流，故vs立即開通，燈H全壓點亮。調(diào)節(jié)電位器RP能調(diào)節(jié)三極管VT的基極電位，從而能對光控靈敏度進行調(diào)整。
