電子發燒友網站提供《采用SOT-23封裝的高亮度白光LED驅動器TPS61165-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:40:23
0 電子發燒友網站提供《采用WSON和SOT-23封裝的TPS61165高亮度白光LED驅動器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 09:39:140 放大機構，對壓電疊堆的輸出位移進行放大，同時該結構采用交替驅動的方式以提高驅動器定子的驅動效率。使用方波信號作為激勵信號，定子驅動足通過摩擦力驅動導軌運動，對該電機的輸出性能進行測試，同時得到激勵電機
2024-03-08 17:38:14
為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30
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電子發燒友網站提供《TFT-LCD雙高壓掃描驅動器TPS65193數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 13:35:440 Microchip近日宣布推出一款創新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅動器，該驅動器采用了Augmented Switching?專利技術，進一步擴展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數字柵極驅動器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡化并加快系統集成 ? 萬物電氣化推動了碳化硅 （SiC）技術在交通、電網和重型汽車等中高壓
2024-03-01 16:57:54318 慧能泰特別推出了HP3000雙通道低側驅動器，采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封裝形式，支持高達35 V的供電耐壓。
2024-02-21 09:23:00329 
TOSHIBA（東芝）TPD4163K是一款采用高壓PWM控制的直流無刷電機驅動器。它采用高壓SOI工藝制造。它是用于電流傳感的三分流電阻電路。它包含電平移位高側驅動器、低側驅動器、IGBT輸出
2024-01-31 11:41:34113 
電子發燒友網站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費下載
2024-01-31 10:04:170 特性
? 用于變壓器的推挽式驅動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅動：5V 電源時可達1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-29 17:15:55
特性
? 用于變壓器的推挽式驅動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅動：5V 電源時可達1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-12 16:08:17
必易微新推出的柵極驅動器 KP85402，專為家用電器和工業新能源等應用場景而設計。這款產品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅動需求。
2024-01-08 15:33:25390 請問什么是長線驅動器，它的原理是什么，信號傳輸時采用什么方式，推挽單端還是差分？常見的常見驅動器廠家推薦
2024-01-06 17:35:42
2104全橋驅動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅動信號，實現全橋輸出。IR2104內部集成了一個高壓引發電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側和高側驅動器。 低側驅動器：
2024-01-05 16:11:041106 特性
? 用于變壓器的推挽式驅動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅動：5V 電源時可達1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-04 17:37:19
上電時mos源-地電壓
inp低電平時mos源-地電壓
inp高電平時mos源-地電壓
開關部分原理圖
問題：1.請問這4v左右的電壓是否正常？是否柵級驅動器已經損壞？（換用多個均是這種
2024-01-04 06:44:25
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
ADC驅動器用于調理輸入信號，并充當信號源與SAR ADC開關電容輸入之間的低阻抗緩沖器。ADAQ798x的ADC驅動器采用“兩全其美”的辦法，不僅具備信號鏈集成優勢，而且提供設計靈活性，支持很多
2023-12-11 07:50:39
Littelfuse 推出FDA117光隔離光伏驅動器，可產生浮動電源，是各行各業隔離開關應用的絕佳選擇。
2023-12-05 16:39:01475 電子發燒友網站提供《高壓隔離柵極驅動器ADuM4121/ADuM4121-1數據手冊.pdf》資料免費下載
2023-11-28 10:52:480 上工作，必須使用專用的驅動器。步進驅動器的原理是采用單極性直流電源供電，只要對步進電機的各相繞組按合適的時序通電，就能使步進電機步進轉動。步進電機驅動器一般需要接脈
2023-11-14 08:07:32926 
伺服電機控制一個排線收卷裝置，不知道是不是排線交接地方帶電的原因，操作工說一到交接的地方伺服電機就會馬上停止下來，而伺服驅動器是直接斷電了，伺服驅動器也接地了，不知道怎么解決，想問一下大家
2023-11-14 07:02:16
。初始分析是對的，即保險一再熔斷，驅動器肯定存在某一不正常的大電流，并檢查出一功率管損壞。但對該管的作用沒有弄清楚。實際上該管為步進電機電源驅動管，步進電機為高壓起動，因而要承受高壓大電流。靜態檢查
2023-11-09 07:50:35
可以通過串口直接控制步進電機驅動器嗎
2023-10-18 07:20:07
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 具有廣泛的保護功能，可增強系統的安全性和可靠性。當驅動器溫度高于內置熱折返保護觸發點時，AL1697開始降低輸出電流。
特性
兩種內部高壓MOSFET選項：用于超級結的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
大部分驅動器都是脈沖控制，怎么通過電壓控制驅動器
2023-10-12 06:00:22
步進電機的半步驅動是由驅動器來設置的嗎
2023-10-11 06:52:18
超低功耗STM32L011x3/4系列包括7種不同封裝類型的設備從14到32個引腳。以下描述概述了該家族中提出的外圍設備。
這些功能使超低功耗STM32L011x3/4微控制器適用于
廣泛
2023-10-09 07:06:47
伺服驅動器中可以集成多少種電機驅動控制電路？
2023-10-08 07:07:48
51單片機和2H45B驅動器線連接 怎么連接是直接驅動器的脈沖、方向、使能與51單片機的I/O連接嗎
新手求學謝謝大家
2023-10-07 06:30:04
一：概述
根據市場需求，開發一款 16 路高壓 NMOS 漂移柵開漏輸出，降低成本，適用于 LED 流星燈裝飾領域。
二：特點
★CMOS 5V 工作
★封裝形式兼容 DM134
★NMOS 漂移柵開漏輸出，耐壓 20V，輸出電流 40mA
★內置流星燈模式,無需外控,實現流星燈效果
★內置穩壓管
2023-09-25 06:45:08
在很多地方都會用到驅動器，但是驅動器是個整體的概念，簡單的說驅動器是驅動某類設備的驅動硬件。比如說電腦以及其他的工業設備或者是工具上，都會用到驅動器。本文重點介紹下驅動器是什么，以及電機驅動器是什么。
2023-09-18 10:00:291439 本技術筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產品提供 PCB設計和焊接工藝的通用指南。
2023-09-13 08:03:50
驅動器類應用場景，特別是高壓場景，通常使用輸出濾波器來達到現場應用需求。
2023-09-08 16:17:43683 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
關節模組伺服驅動基于STM32G4解決方案的優勢 ? STM32G4芯片體積9X9 mm ? 內嵌MOS管前級驅動，省去外部3個驅動芯片PCB布局 ? 完全滿足高性能伺服驅動控制主芯片資源 ? 低成本
2023-09-06 08:06:24
本技術筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產品提供 PCB 設計和焊接工藝的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
本技術筆記為采用 LGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導體新型6kV電流隔離技術，以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
% 負載
集成兩個8mΩ 功率 MOSFET
使用 PWM 信號或模擬信號動態編程輸出電流和輸出電壓
可調開關頻率
使用電阻頻率抖動
良好的 EMI 性能
集成2A MOSFET 門驅動器
綜合保護功能
2023-08-16 11:33:09
電子發燒友網站提供《用于背光AP3156高壓實現發光二極管驅動器應用.pdf》資料免費下載
2023-07-26 15:49:180 電子發燒友網站提供《DGD2101高壓柵極驅動器IC.pdf》資料免費下載
2023-07-24 15:55:430 LED驅動器將電源更改為特定電壓電流以驅動LED電壓轉換器。一般來說，LED驅動器的輸入包括高壓工頻交流電（即城市用電）、低壓直流電、高壓直流電、低壓直流電和高頻交流電（如電子變壓器的輸出
2023-07-04 16:38:263213 納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
采用了GaNSense?技術的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast?功率IC，適用于更高功率的應用
2023-06-16 11:12:02
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-06-16 10:05:18674 
。PI不斷推出各種新產品，持續滿足風能、光伏以及高壓直流輸電、軌道交通等應用領域的碳中和需求。 ▋為新能源應用量身定制的并聯門極驅動器 王皓介紹說，PI的
2023-06-02 16:12:06887 
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IG
2023-05-12 15:46:12
電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換
2023-05-12 15:40:44
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:34:44
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:16:27
封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 10:31:25
MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOS
2023-05-12 10:14:25
MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFE
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:20:45
我們正在使用 PTN38007 評估板/DFP，我將發生器連接到轉接驅動器的 TX1 引腳，將示波器連接到 RX1 引腳，但示波器中沒有信號。我已將操作模式更改為 USB3 等，但沒有用。
我
2023-05-12 06:47:03
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:37:32
MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC M
2023-05-11 16:51:03
與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或
2023-05-11 16:46:09
MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MO
2023-05-11 16:44:08
高速風筒專用電機驅動芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參
考輸出通道。高速風筒專用電機驅動芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業級DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業級 DDR4
2023-04-24 08:08:20
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-04-21 09:31:091573 CMD291P4產品簡介Qorvo 的 CMD291P4 是一款寬帶 GaAs MMIC 驅動放大器，采用無引線 4x4 毫米表面貼裝封裝。該寬帶設備的工作頻率范圍為 16 至 24 GHz，非常
2023-04-20 11:47:12
ADuM4135是一款單通道柵極驅動器，專門針對驅動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行了優化。ADI公司的iCoupler?技術在輸入信號與輸出柵極驅動器之間實現隔離。ADuM4135提供米勒箝位
2023-04-19 16:13:20
MASWCC0010GaAs 吸收式，單電源MACOM 的 MASWCC0010 是一款帶有集成 TTL 驅動器的 SP4T 吸收式 pHEMT 開關。該器件采用 MLP 塑料表面貼裝封裝。該開關
2023-04-17 13:48:58
4月12日，上?！{芯微電子（以下簡稱“納芯微”，科創板股票代碼688052）今日宣布推出單通道MLVDS收發器NLC530x系列，包括NLC5301/2/3/4共四款器件。其中NLC5301
2023-04-13 15:22:28
CMD169P4產品簡介Qorvo 的 CMD169P4 是一款射頻/微波 GaAs MMIC 驅動放大器，采用無引線 4x4 毫米塑料表面貼裝 (SMT) 封裝。CMD169P4 非常適合小尺寸
2023-04-13 13:23:38
高速、高壓、高壓側柵極驅動器
2023-03-28 18:24:31
單通道驅動器
2023-03-28 18:24:30
三相橋式驅動器
2023-03-28 18:24:30
自振蕩半橋驅動器
2023-03-28 18:24:30
8路高壓源極驅動器
2023-03-28 15:13:06
IR21814類似的驅動芯片直接驅動MOS管，該電路具有驅動簡單，成本低，PCB占用面積小等優點，在我司產品中得到廣泛的應用。但是，所采用的LLC諧振拓撲來說，驅動頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746 
過沖和瞬時過電壓對IGBT的影響。 被動泄放電阻：車輛在下高壓后，為了保證安全，需要通過泄放電阻把電機控制器內電容的電量放掉?！ °~排：銅排在電機驅動器內部分為直流和交流銅排，直流銅排是連接直流高壓
2023-03-23 15:45:33
自振蕩半橋驅動器
2023-03-23 04:51:18
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