當在一塊半導體的兩端加上電壓后，則價電子在無規(guī)則的熱運動基礎(chǔ)上疊加了由電場引起的定向運動，形成了電流，并且它的運動狀態(tài)也發(fā)生了變化，因而其運動能量必然與原來熱運動時有所不同。在晶體中，根據(jù)泡利不相容原理，每個能級上最多能容納兩個電子。因此，要改變晶體中電子的運動狀態(tài)，以便改變電子的運動能量，使它躍遷到新的能級中去，一般需要滿足兩個條件：一是具有能向電子提供能量的外界作用；二是電子要躍人的那個能級是空的。

　　由于導帶中存在大量的空能級，當有電場SRM2A256SL-TM70作用時，導帶電子能夠得到能量而躍遷到空的能級中去，即導帶電子能夠改變運動狀態(tài)。這也就是說，在電場的作用下，導帶電子能夠產(chǎn)生定向運動而形成電流，所以導帶電子是可以導電的。

　　如果價帶中填滿了電子而沒有空能級，在外加電場的作用下，電子又沒有足夠能量激發(fā)到導帶，那么，電子運動狀態(tài)無法改變，因而不能形成定向運動，也就沒有電流。因此，填滿電子的價帶中的電子是不能導電的。如果價帶中的一些電子在外界作用下躍遷到導帶，那么在價帶中就留下了缺乏電子的空位?？梢栽O(shè)想，在外加電場作用下，鄰近能級的電子可以躍人這些空位，而在這些電子原來的能級上又出現(xiàn)了新的空位。以后，其他電子又可以再躍人這些新的空位，這就好像空位在價帶中移動一樣，只是其移動方向與電子相反。因此，對于有電子空位的價帶，其電子運動狀態(tài)就不再是不可改變的了。在外加電場的作用下，有些電子在原來熱運動上疊加了定向運動，從而形成了電流。

　　導帶和價帶電子的導電情況是有區(qū)別的，即：導帶的電子越多，其導電能力越強；而價帶的電子的空位越多，即電子越少，其導電能力就越強，通常把價帶的電子空位想象為帶正電的粒子。顯然，它所帶的電量與電子相等，符號相反。在電場作用下，它可以自由地在晶體中運動，像導帶中的電子一樣能夠起導電作用，這種價帶中的電子空位，通常稱為空穴。南干由．子和率穴都能導電．一般把官們統(tǒng)稱為載流子n完傘純凈和結(jié)構(gòu)完整的半導體稱為本征半導體。

　　假設(shè)在絕對零度耐，又不受光、電、磁等外界作用的本征半導體能帶圖。此時，導帶沒有電子，價帶也沒有空穴。因此，這時的本征半導體和絕緣體一樣，不能導電。但是，由于半導體的禁帶寬度Eg較小，因而在熱運動或其他外界因素的作用下，價帶的電子可激發(fā)躍遷到導帶。這時，導帶有了電子，價帶也有了空穴，本征半導體就有導電能力。電子由價帶直接激發(fā)躍遷到導帶稱為本征激發(fā)。對于本征半導體來說，其載流子只能依靠本征激發(fā)產(chǎn)生。因此，導帶的電子和價帶的空穴是相等的，這就是本征半導體的導電機理的特性。

　　實際上，晶體總是含有缺陷和雜質(zhì)的，半導體的許多特性是由所摻的雜質(zhì)和缺陷決定的。雜質(zhì)和缺陷對半導體有決定性的影響，主要是由于在雜質(zhì)和缺陷附近可形成束縛電子態(tài)，這就如同在孤立原子中電子被束縛在原子核附近一樣。因能帶的能量是和晶體基本原子的各能級相對應(yīng)的（至少在能帶不很寬的情況下是如此），而雜質(zhì)原子上的能級和晶體中其他原子不同，所以它的位置完全可能不在晶體能帶的范圍之中。換句話說，雜質(zhì)的能級可以在晶體能級的禁帶中，即束縛態(tài)的能量一般處在禁帶中。

　　在硅晶體中，硅有4個價電子，V族元素（如磷、砷、銻等）的原子取代了硅原子的位置．V族原子中5個價電子中有4個價電子與硅原子形成共價鍵，多余的一個價電子不在價鍵中，因而成為自由電子參與導電。能夠?qū)щ姷碾娮右话闶菍е械碾娮?。所以，硅中摻人一個V族雜質(zhì)能夠釋放一個電子給硅晶體的導帶，而雜質(zhì)本身成為正電中心。具有這種特點的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)，因為它能給予電子；在離子晶體中，間隙中的正離子或負離子缺位，實際上也是正電中心，所以也是施主。被束縛于施主上的電子的能量狀態(tài)稱為施主能級。

　　在硅晶體中，當用具有3個價電子的Ⅲ族元素（如硼、鋁、嫁、銦等）的原子取代硅原子組成4個共價鍵時，尚缺一個電子，即存在一個空的電子能量狀態(tài)，它能夠從晶體的價帶接受一個電子，這就等于向價帶提供一個空位。Ⅲ族原子本來呈電中性，當它接收了一個電子時，成了一個負電中心。具有這種特點的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)，因為它能接受電子。受主的空能量狀態(tài)稱為受主能級。在離子晶體中，正離子缺位或間隙負離子都同樣起著負電中心的作用，也是受主。

　　施主（或受主）能級上的電子（或空穴）躍遷到導帶（或價帶）中去的過程稱為電離，這一過程所需的能量就是電離能。所謂空穴從受主能級激發(fā)到價帶的過程，實際上就是電子從價帶激發(fā)到受主能級中去的過程。

　　E一表示導帶底，E+表示價帶頂。一般，施主能級離導帶底較近，即雜質(zhì)的束縛態(tài)能級略低于導帶底，這樣就可在常溫下由于束縛態(tài)中的電子激發(fā)到導帶而使導帶中的電子遠多于價帶中的空穴。這種主要由電子導電的半導體，稱為N型半導體。

　　一般，受主能級離價帶頂較近，即在半導體中摻入某一雜質(zhì)而使其束縛態(tài)略高于價帶頂時，就可在常溫下由于價帶中的電子激發(fā)到束縛戀，因而使價帶中的空穴遠多于導帶中的電子。這種主要由空穴導電的半導體，稱為P型半導體。由于雜質(zhì)的電離能比禁帶寬度小得多，所以雜質(zhì)的種類和數(shù)量對半導體的導電性能影響很大。在N型半導體中，由于n≥p，一般把電子稱為多數(shù)載流子，而空穴稱為少數(shù)載流子；在P型半導體中，則與上相反，空穴稱為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。