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半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

2010年08月26日 17:03 www.asorrir.com 作者:本站 用戶(hù)評(píng)論(0
關(guān)鍵字:半導(dǎo)體(220190)

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

自然界的各種物質(zhì)就其導(dǎo)電性能來(lái)說(shuō),可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三大類(lèi)。
  半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,如硅、鍺等,它們的電阻率通常在之間。半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用,是因?yàn)樗膶?dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導(dǎo)體單晶硅在室溫下電阻率約為 ,若按百萬(wàn)分之一的比例摻入少量雜質(zhì)(如磷)后,其電阻率急劇下降為 ,幾乎降低了一百萬(wàn)倍。半導(dǎo)體具有這種性能的根本原因在于半導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)的特殊性。
  
  1.1.1 本征半導(dǎo)體


(a)鍺Ge????????? (b)硅Si
圖1.1.1 鍺和硅原子結(jié)構(gòu)
  常用的半導(dǎo)體材料是單晶硅(Si)和單晶鍺(Ge)。所謂單晶,是指整塊晶體中的原子按一定規(guī)則整齊地排列著的晶體。非常純凈的單晶半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。

  1.本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)
  半導(dǎo)體鍺和硅都是四價(jià)元素,其原子結(jié)構(gòu)示意圖如圖1.1.1所示。它們的最外層都有4個(gè)電子,帶4個(gè)單位負(fù)電荷。通常把原子核和內(nèi)層電子看作一個(gè)整體,稱(chēng)為慣性核。慣性核帶有4個(gè)單位正電荷,最外層有4個(gè)價(jià)電子帶有4個(gè)單位負(fù)電荷,因此,整個(gè)原子為電中性。

2.本征激發(fā)
  在本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)中,每一個(gè)原子與相鄰的四個(gè)原子結(jié)合。每一個(gè)原子的價(jià)電子與另一個(gè)原子的一個(gè)價(jià)電子組成一個(gè)電子對(duì)。這對(duì)價(jià)電子是每?jī)蓚€(gè)相鄰原子共有的,它們把相鄰原子結(jié)合在一起,構(gòu)成所謂共價(jià)鍵的結(jié)構(gòu),如圖1.1.2所示。
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圖 1.1.2 本征硅共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)
  一般來(lái)說(shuō),共價(jià)鍵中的價(jià)電子不完全象絕緣體中價(jià)電子所受束縛那樣強(qiáng),如果能從外界獲得一定的能量(如光照、升溫、電磁場(chǎng)激發(fā)等),一些價(jià)電子就可能掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子,將這種物理現(xiàn)象稱(chēng)作為本征激發(fā)。
  理論和實(shí)驗(yàn)表明:在常溫(T=300K)下,硅共價(jià)鍵中的價(jià)電子只要獲得大于電離能EG(=1.1eV)的能量便可激發(fā)成為自由電子。本征鍺的電離能更小,只有0.72eV。
  當(dāng)共價(jià)鍵中的一個(gè)價(jià)電子受激發(fā)掙脫原子核的束縛成為自由電子的同時(shí),在共價(jià)鍵中便留下了一個(gè)空位子,稱(chēng)“空穴”。當(dāng)空穴出現(xiàn)時(shí),相鄰原子的價(jià)電子比較容易離開(kāi)它所在的共價(jià)鍵而填補(bǔ)到這個(gè)空穴中來(lái)使該價(jià)電子原來(lái)所在共價(jià)鍵中出現(xiàn)一個(gè)新的空穴,這個(gè)空穴又可能被相鄰原子的價(jià)電子填補(bǔ),再出現(xiàn)新的空穴。價(jià)電子填補(bǔ)空穴的這種運(yùn)動(dòng)無(wú)論在形式上還是效果上都相當(dāng)于帶正電荷的空穴在運(yùn)動(dòng),且運(yùn)動(dòng)方向與價(jià)電子運(yùn)動(dòng)方向相反。為了區(qū)別于自由電子的運(yùn)動(dòng),把這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為空穴運(yùn)動(dòng),并把空穴看成是一種帶正電荷的載流子。
  在本征半導(dǎo)體內(nèi)部自由電子與空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的,因此將它們稱(chēng)作為電子-空穴對(duì)。當(dāng)自由電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中遇到空穴時(shí)可能會(huì)填充進(jìn)去從而恢復(fù)一個(gè)共價(jià)鍵,與此同時(shí)消失一個(gè)“電子-空穴”對(duì),這一相反過(guò)程稱(chēng)為復(fù)合。
  在一定溫度條件下,產(chǎn)生的“電子—空穴對(duì)”和復(fù)合的“電子—空穴對(duì)”數(shù)量相等時(shí),形成相對(duì)平衡,這種相對(duì)平衡屬于動(dòng)態(tài)平衡,達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),“電子-空穴對(duì)”維持一定的數(shù)目。
  可見(jiàn),在半導(dǎo)體中存在著自由電子和空穴兩種載流子,而金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種載流子,這也是半導(dǎo)體與導(dǎo)體導(dǎo)電方式的不同之處。

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