要解釋三極管導電機理，必須弄明白其基本結構和電子走向。如圖所示，NPN三極管的基極是一段很窄的P型半導體，兩端是由N型半導體組成的發射極和集電極。這兩個電極的名字也是相當形象的，發射極發射電子，集電極收集電子。

基極和發射極之間施加的是正向偏置電壓，其目的是使發射極中的電子在電場的作用下漂移到基極。這些電子到達基極后，部分電子與空穴復合形成電流IB，因為基極窄，所以復合的只是很小一部分，IB也就很小。又因為集電極和基極之間施加的是反向偏置，所以達到基極的大部分電子會在這一電場作用下漂移到集電極形成IC。

在書中，IC和IB之間的關系是IC=βIB，現在假設β=99，就可以理解成發射極發射100個電子，有1個電子與空穴復合形成IB，有99個電子到達集電極形成IC，這個效果就像是IB被放大了99倍。因為在兩個過程中的電子漂移方向是一致的，所以從發射極流出的IE=IC+IB，因為IB的電流很小，所以有IE=αIC（α≈1）。

綜上所述，如果把這個過程看作一個黑盒的話，就可以簡單看成是發射極發射電子，集電極收集電子。

VCE=VCB+VBE，可以用VBE衡量發射電子的能力，用VCB衡量吸收電子的能力，具體表現如下圖所示。

在VCE相同的情況下，VBE大的三極管發射電子的能力更強，形成的電流更大；在VBE一定的情況下，電流會隨著VCE的增加（也就是吸收電子能力）而增加，但是當VCE到達一定值后，電流出現飽和，其原因就是發射電子的能力是有限的，發射的電子幾乎全部在集電極被收集，電流無法繼續增大。

簡單來說，VBE決定了電流的上限，VCE盡可能地發揮上限。