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• 超結MOSFET在照明電源領域的應用分析

  LED（Lighting Emitting Diode）照明是一種使用發光二極管的照明技術，它是一種半導體固態發光器件。LED利用固態半導體芯片作為發光材料，當半導體中的載流子發生復合時，會釋放出過剩的能量，從而導致光子的發射。這些光子直接產生紅、黃、藍和綠色的光。基于三基色原理，通過添加熒光粉，L...

  1083次閱讀 · 0評論 led二極管MOSFET發光二極管照明電源
  

• 運放參數的詳細解釋

  在精密電路設計中，偏置電壓是一個關鍵因素。對于那些經常被忽視的參數，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。...

  1751次閱讀 · 0評論 放大器電路設計運放晶體管

• 如何實現高頻濾波 穿心電容濾波原理

  由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對高頻信號呈現較大的阻抗，削弱了對高頻信號的旁路作用；②導線之間的寄生電容使高頻信號發生耦合，降低了濾波效果。...

  4048次閱讀 · 0評論 電容電磁干擾寄生電感
  

• 0歐姆電阻在電路設計中的作用

  0Ω電阻到底能過多大電流？這個問題想必每位硬件工程師都查過。而與之相關的還有一個問題，那就是0Ω電阻的阻值到底有多大？...

  894次閱讀 · 0評論 電阻pcb電流電路設計額定電流
  

• 功率器件igbt工藝流程圖解

  功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關，今天單說IGBT的工藝流程。...

  4174次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT功率器件Bipolar半導體開關
  

• 晶體二極管的結構和主要參數

  二極管種類繁多，它們根據不同工藝結構和用途是有大小之分的...

  1650次閱讀 · 0評論 二極管晶體二極管PN結
  

• 運放的失調電壓分析

  今天我們來分析下為什么在輕負載條件下，恒流精度有變化。上篇文章也提到過失調電壓，失調電壓是造成這個誤差的主要因素。首先，回顧下該電路，為方便計算，調整下反饋電阻參數，將比例改為1倍，可得負載電流 I=Vin/R5。（具體公式推導工程請看1月16的微頭條文章），在這里為排除由正反饋和負反饋兩個環路反饋...

  1717次閱讀 · 0評論 電路分析運放電流源失調電壓
  

• mosfet主要參數有哪些（mosfet參數詳解）

  MOSFET處于導通狀態下的阻抗。導通阻抗越大，則開啟狀態時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導通阻抗。...

  1919次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETMOS額定電壓散熱板
  

• 安規貼片Y電容有什么優勢？

  傳統的安規Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安規貼片Y電容？有什么優點？...

  581次閱讀 · 0評論 電容電路板氮化鎵射頻干擾Y電容PD快充

• 數明半導體推出SiLM94112/SiLM94108半橋驅動芯片

  針對有刷直流電機和步進電機在各種應用場景中的不同需求，SiLM94112/SiLM94108可支持獨立、順序或并行模式驅動。為實現電機的正轉、反轉、滑行和制動控制，用戶可通過SiLM94112/SiLM94108的SPI通訊自主控制半橋上管和下管的開通和關斷。...

  1552次閱讀 · 0評論 步進電機無刷直流電機驅動芯片半橋驅動芯片數明半導體
  

• 碳化硅功率半導體工藝流程

  首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶 第二，使用多線切割設備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 第三，通過不同粒度的金剛石研磨液，將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。...

  1679次閱讀 · 0評論 功率半導體光刻膠碳化硅刻蝕工藝

• TVS的工作原理和選型要點

  TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導體工藝制成的單個 PN 結或多個 PN 結集成的器件。TVS 有單向與雙向之分，單向 TVS 一般應用于直流供電電路，雙向 TVS 應用于電壓交變的電路。如圖 1 所示，應用于直流...

  6036次閱讀 · 0評論 二極管TVSPN結bms
  

• 功率MOSFET功耗計算指南

  功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。...

  1742次閱讀 · 0評論 MOSFETcpu功率MOSFET電流電源功耗計算
  

• 深紫外μLED作為日盲紫外光通信光源的研究現狀和綜合分析

  實現深紫外光通信的一個關鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實現，但汞燈的調制帶寬非常小，這嚴重影響了深紫光通信的傳輸速率。...

  1337次閱讀 · 0評論 串聯電阻發光二極管LED芯片衰減器無線光通信
  

• SiC相較于Si的優勢是什么？碳化硅的實際應用優勢

  如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。...

  1977次閱讀 · 0評論 二極管太陽能半導體SiC碳化硅
  

• 一文理解IGBT的發展歷程

  在當代高科技領域中，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）無疑是一顆耀眼的明星，其在電力控制、能源轉換和工業應用等領域的不可替代地位，讓人們對其發展歷史產生濃厚的興趣。IGBT的強大功效和多重應用領域，使得它在半導體領域嶄露頭角，成為現代技術發展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發展歷程，讓我...

  2077次閱讀 · 1評論 MOSFETIGBT晶體管BJT

• 分享一顆雙路高速MSOFET驅動芯片-TPS2812設計知識

  今天和大家分享一顆雙路高速MSOFET驅動芯片-TPS2812的一些設計知識。這顆芯片是TI公司的一款驅動芯片，工業級。...

  1976次閱讀 · 0評論 MOSFET電源供電調節器驅動芯片GND
  

• 雙路高速MOSFET驅動芯片TPS2812的基本介紹

  今天和大家分享一顆雙路高速MSOFET驅動芯片-TPS2812的一些設計知識。這顆芯片是TI公司的一款驅動芯片，工業級。這顆芯片內部集成了一顆LDO,最高可以支持到40V的電壓，-40到125度的工作溫度。...

  5384次閱讀 · 0評論 MOSFETldo驅動芯片
  

• 什么會影響MOS管驅動電壓降低呢？

  MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的驅動電壓降低可能會受到以下因素的影響...

  2118次閱讀 · 0評論 電容器MOS管電源電壓場效應晶體管驅動電壓

• 氮化鎵(GaN)技術創新概況 氮化鎵襯底技術是什么

  氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料...

  1285次閱讀 · 0評論 半導體材料氮化鎵GaN射頻器寬禁帶半導體
  
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