基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:03
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極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
復(fù)雜的設(shè)計(jì)，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開(kāi)關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開(kāi)關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí)，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
至半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效?！ TRB試驗(yàn)可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件。基本半導(dǎo)體碳化硅二級(jí)管的HTRB實(shí)驗(yàn)溫度為175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí)，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢(shì)，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高，但依然面臨三項(xiàng)社會(huì)問(wèn)題僅從物理特性來(lái)看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時(shí)候，T2為主開(kāi)關(guān)管?！ ‘?dāng)T2開(kāi)通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
的高性價(jià)比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品?！ ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?！ 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中使用的藥水不同，生產(chǎn)工藝流程的差異，對(duì)純水的品質(zhì)要求也不一樣。最關(guān)鍵的指標(biāo)是：電導(dǎo)率(電阻率)，總硅，pH值，顆粒度。線路板、半導(dǎo)體用純水因?yàn)楸旧?b class="flag-6" style="color: red">工藝流程的不同對(duì)純水制造
2013-08-12 16:52:42
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
半導(dǎo)體工藝流程圖
2017-01-14 12:52:15
247 華為為5G鋪路，布局碳化硅半導(dǎo)體，打破國(guó)外第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)壟斷
2019-08-27 11:19:034989 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32140 7月29日，基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835 
基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432797 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開(kāi)關(guān)，從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:55909 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065310 碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。
2022-10-24 11:12:217276 碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。
2022-11-02 09:50:111410 ? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆（ROHM）12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49632 
半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅工藝流程 目前全球95%以上的半導(dǎo)體元件，都是以第一代半導(dǎo)體材料硅作為基礎(chǔ)功能材料，不過(guò)隨著電動(dòng)車、5G等新應(yīng)用興起，硅基半導(dǎo)體受限硅材料的物理性質(zhì)，在性能上有不易突破的瓶頸，因此以氮化
2023-02-02 17:14:283301 對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度高達(dá)3.0eV，相比第一代半導(dǎo)體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 的方法來(lái)構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導(dǎo)體不同于普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)使用動(dòng)力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時(shí)，它表現(xiàn)出有限的導(dǎo)熱性、在某些應(yīng)用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而，它也有好處。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:550 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過(guò)劃片封裝測(cè)試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34802 1、半導(dǎo)體照明領(lǐng)域以碳化硅為基板的LED在此期間具有更高的亮度、更低的能耗、更長(zhǎng)的壽命、更小的單位芯片面積，在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢(shì)。2.各種電機(jī)系統(tǒng)在5kV以上的高壓應(yīng)用中，半導(dǎo)體碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092319 
羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。
2023-09-27 10:13:052064 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571220 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361191 
目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月，去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資，要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開(kāi)信息統(tǒng)計(jì)，2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)： 更高的熱導(dǎo)率：碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52231 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 
碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類似。
2024-01-25 09:51:42216
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