女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

華為布局碳化硅半導體以為5G鋪路

h1654155282.3538 ? 來源:沈苗 ? 2019-08-27 11:19 ? 次閱讀

華為哈勃科技投資公司最近有了新動向,據分析很可能與華為5G的后續發展有重大關聯,據了解這次投資的是一家第三代半導體研發公司,名為山東天岳先進材料有限公司,哈勃持有其10%的股份。哈勃投資是華為于今年4月成立的,投資7億元用于公司的投資項目。它是華為的全資子公司,董事長為華為全球金融風險控制中心總裁白熠,業務范圍主要為風險投資業務。

據了解,山東天岳公司是我們國內一家主要研發第三代半導體材料的企業,如今已建成了第三代半導體產業化的基地,所以說基本上已經具備了研發生產更高水平半導體的能力。此外,在今年的2月份,山東天岳的碳化硅大功率半導體芯片項目一出就立即成為了濟南市2019年的重點項目,這一次的項目總投資金額達到6.5億元,碳化硅動力芯片生產線已經正式上線。

碳化硅其實就是碳與硅的化合物,是第三代半導體材料的重要原料。與傳統半導體硅相比,它在很多方面都有很強的優勢,比如高臨界擊穿電場,或者是高電子遷移率等,這些都是以往的半導體做不到的。而且還能夠廣泛地應用于大功率的高頻電子器件、以及與5G通信有關聯的微波通信。現在的第三代半導體材料具有很強的綜合性能,同時在商業化方面也是半導體領域中水平最高的,有著十分成熟的技術驅動力。

現在,隨著華為5G在世界上越來越受歡迎,5G風暴正在全球蔓延。在當今全球5G網絡時代,碳化硅半導體材料在許多方面發揮著不可替代的作用。大數據傳輸、人工智能技術、云計算物聯網都與第三代半導體密不可分。

隨著5G與物聯網發展的需要,對網絡傳輸的速度和容量也提出了更高的要求,所以使得市場對大功率芯片的需求越來越大。盡管硅材料的負載還算比較大,但是以硅為襯底的半導體器件的性能已經達到極限,沒有絲毫能夠再突破的空間。而隨著國內碳化硅材料的大規模生產,將能夠打破國外對于第三代半導體市場的壟斷,促進國內5G芯片技術的快速發展。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 華為
    +關注

    關注

    216

    文章

    35035

    瀏覽量

    255088
  • 5G
    5G
    +關注

    關注

    1360

    文章

    48736

    瀏覽量

    570397
  • 碳化硅半導體

    關注

    2

    文章

    13

    瀏覽量

    9956
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突
    的頭像 發表于 06-07 06:17 ?77次閱讀

    基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    BASiC基本股份半導體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現出顯著優勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC
    的頭像 發表于 05-04 09:42 ?171次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產
    的頭像 發表于 03-13 00:27 ?184次閱讀

    5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET

    傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結MOSFET的優勢,并做損耗仿真計算: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC
    的頭像 發表于 02-10 09:37 ?337次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>電源應用<b class='flag-5'>碳化硅</b>B3M040065Z替代超結MOSFET

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作
    的頭像 發表于 01-23 17:09 ?1074次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發表于 01-22 10:43

    安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

    在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰?5步法應對碳化硅特定挑戰,mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰、
    的頭像 發表于 01-09 10:31 ?397次閱讀

    安森美在碳化硅半導體生產中的優勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰,本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態系統的不斷演進及安森美(onsemi)在
    的頭像 發表于 01-07 10:18 ?442次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發表于 01-04 12:37

    意法半導體與雷諾集團簽署碳化硅長期供貨協議

    ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議,保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
    的頭像 發表于 12-05 10:41 ?604次閱讀

    碳化硅半導體產業中的發展

    碳化硅(SiC)在半導體產業中的發展呈現出蓬勃的態勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導體
    的頭像 發表于 11-29 09:30 ?828次閱讀

    碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優勢

    的功率器件具有高耐壓、低導通電阻和高頻率的特性,適用于電動汽車、太陽能逆變器、高速鐵路牽引驅動等領域。 射頻器件 :在5G通信、雷達、衛星通信等領域,碳化硅材料因其高頻特性被用于制造高性能的射頻器件。 照明領域 : LED照明 :碳化
    的頭像 發表于 11-29 09:27 ?4854次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統半導體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細介紹: 原材料選擇與預處理 SiC生產的基礎在于原材料的精選。多用純凈
    的頭像 發表于 11-25 16:32 ?4090次閱讀

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區別是什么

    以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有比硅(Si)更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應
    的頭像 發表于 08-08 10:13 ?2831次閱讀

    納微半導體發布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業領軍者,近日正式推出了其最新研發的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發表于 06-11 16:24 ?1288次閱讀