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• IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導體器件，具有開關速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應用于電力電子領域。本文將對IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢進行簡要介紹。...

  4641次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBTBJT功率半導體

• SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和發(fā)展趨勢

  碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術(shù)發(fā)展趨勢進行簡要介紹。...

  4761次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體SiC碳化硅

• 在Virtuoso中認識PMOS管和NMOS管

  具體的在版圖設計中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧...

  11093次閱讀 · 0評論 反相器CMOS晶體管VirtuosoNMOS管PMOS管
  

• 碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)（ESS）中的應用介紹

  與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢...

  1207次閱讀 · 0評論 電動汽車IGBT晶體管儲能系統(tǒng)碳化硅

• SAR ADC的基本原理是什么？

  逐次逼近，顧名思義，多次轉(zhuǎn)換和Bit計算中，A/D數(shù)字碼輸出逐漸逼近輸入值。其算法核心就是“二分搜索（Binary Search）”，該算法能夠高效快速的接近目標值。...

  1434次閱讀 · 0評論 寄存器adc比較器模數(shù)轉(zhuǎn)換器LSBSAR ADC
  

• 關于二極管，你了解多少？

  二極管是很常見的電子元器件，有兩個極，即陰極和陽極，二極管具有單向?qū)щ娦裕娏髦荒軓年枠O流向陰極，電壓反向時二極管截止。...

  1186次閱讀 · 0評論 二極管電源輸出漏電流載流子
  

• 什么是截止、飽和、放大？一文讀懂三極管特性曲線

  當發(fā)射結(jié)小于開啟電壓，集電結(jié)反偏，此時Ib和Ic幾乎都為零，集電結(jié)反向偏置再強也沒用，此時Ube太小，發(fā)射區(qū)不能發(fā)送電子到基區(qū)，或者發(fā)送很少電子到基區(qū)，也就是不能形成明顯集電極電流。...

  13244次閱讀 · 0評論 三極管電阻器狀態(tài)機共射放大電路偏置電壓
  

• 氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

  氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。...

  827次閱讀 · 0評論 導通電阻功率器件氮化鎵半導體器件功率芯片

• 如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

  在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。...

  1283次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT寄生電容柵極驅(qū)動器碳化硅
  

• 碳化硅為什么如此火爆呢

  隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應用市場，行業(yè)普遍預估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達到60億美元。...

  641次閱讀 · 0評論 逆變器功率器件SiC碳化硅
  

• IGBT的應用領域及現(xiàn)狀分析

  近年來，新型功率開關器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件(圖2)，IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫形式，是絕緣柵雙極型晶體管。與以前的各種電力電...

  3916次閱讀 · 0評論 三極管新能源汽車IGBT功率半導體
  

• SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

  相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。...

  3875次閱讀 · 0評論 MOSFET元器件導通電阻IGBT碳化硅
  

• 什么是達林頓對管？達林頓對管的特性

  早期的硅晶體管共發(fā)射極電流增益 β 值很低，而且不同樣品的 β 值變化很大。對于良好的硅生長結(jié)晶體管樣品，β 的范圍可能在 5 到 15 之間。鑒于這些有源元件的缺點，電子電路工程師在設計電路中犯了難，主要表現(xiàn)在電路不穩(wěn)定，或者電路放大倍數(shù)偏差比較大。...

  3432次閱讀 · 0評論 集成電路電流晶體管達林頓
  

• IGBT的結(jié)構(gòu)和應用

  雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應用中仍然發(fā)揮著重要作用。...

  1436次閱讀 · 0評論 半導體IGBTSiCGaN碳化硅
  

• 如何采用碳化硅設計高效可再生能源系統(tǒng)呢？

  太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)應用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡實現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。...

  366次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETPCB布局碳化硅太陽能逆變器

• 運算放大器和電壓比較器的基本原理

  運算放大器和電壓比較器在原理符號上確實是一樣的，都有5個引腳，其中兩個引腳為電源+和電源-，還有兩個引腳為同相輸入端（+）和反向輸入端（-），最后一個引腳是輸出端。...

  1177次閱讀 · 0評論 原理圖運算放大器電壓比較器引腳
  

• 差分放大器和運算放大器的區(qū)別

  差分放大器和運算放大器都是常見的電子元件，它們在電路中扮演著不同的角色。本文將介紹差分放大器和運算放大器的區(qū)別。...

  6115次閱讀 · 0評論 運算放大器電子元件差分放大器輸入端口

• 晶閘管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及應用

  晶閘管（Thyristor）是一種具有四層結(jié)構(gòu)的半導體器件，也被稱為可控硅。它由兩個PN結(jié)、一個門極和一個控制極組成，具有四層結(jié)構(gòu)。晶閘管的工作原理是利用門極信號對控制極施加不同的電壓，從而控制晶閘管的導通角度，實現(xiàn)對電流的控制。...

  7810次閱讀 · 0評論 半導體可控硅晶閘管電動機PN結(jié)

• 二極管和三極管的區(qū)別

  二極管和三極管是兩種常見的半導體器件，它們在電子電路中都有著廣泛的應用。盡管它們都屬于半導體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細介紹二極管和三極管的區(qū)別。...

  12019次閱讀 · 0評論 三極管二極管半導體PN結(jié)

• 可控硅和場效應管的區(qū)別

  可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場效應管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導體器件，它們在電子電路中有著廣泛的應用。盡管它們都屬于半導體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細介紹可控硅和場效應管的區(qū)別。...

  4950次閱讀 · 0評論 半導體場效應管可控硅FET
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