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先進封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)之一，將晶圓或組件進行劃片或開槽，以利后續制程或功能性測試。...
HOT 允許獨立優化頂部和底部器件的晶體取向和應變工程，而不會增加工藝流程成本。例如，在 n-on-p 配置中，可以在頂部使用具有 <100> 取向的硅片，從而為頂部 nMOS 器件提供最高的電子遷移率。...
電子封裝是器件到系統的橋梁，這一環節極大影響力微電子產品的質量和競爭力。隨著半導體技術的發展， IC 載板的特征尺寸不斷縮小、集成度不斷提高，相應的 IC 封裝向著超多引腳、窄節距、超小型化方向發展。...
對于那些PCB中的元件封裝與原理圖元件Properties屬性面板Parameters中顯示的封裝不匹配的設計，下面將向您介紹如何使它們同步。...
晶圓級封裝技術可定義為：直接在晶圓上進行大部分或全部的封裝、測試程序，然后再進行安裝焊球并切割，從而產出一顆顆的IC成品單元。...
半導體制造業面臨的最大挑戰之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些污染物牢固地結合在硅晶片表面，給半導體制造行業帶來了許多令人頭痛的問題。...
本文描述了我們華林科納用于III族氮化物半導體的選擇性側壁外延的具有平面側壁刻面的硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產鰭片。使用等離子體增強化學氣相沉積來沉積二氧化硅，以產生硬掩模。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IP...
主要應用是鋁刻蝕液原料監控： 刻鋁酸含量測定（4%HNO3、75%H3PO4、10%HAc） 滴定劑（0.2 M KOH-2-Isopronal） 溶劑：乙醇：丙二醇=1：1 儀器：電位滴定儀+DGi113-SC非水酸堿滴定電極...
引言 過氧化氫被認為是半導體工業的關鍵化學品。半導體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或SPM)在其配方中包括過氧化氫[1]。所述浴從硅表面去除顆粒、有機和金屬污染物，避免了由污染引起的電不...
恒溫晶振(OCXO; KO系列) 對溫度穩定性的解決方案采用了恒溫槽技術，將晶體置于恒溫槽內，通過設置恒溫工作點，使槽體保持恒溫狀態，在一定范圍內不受外界溫度影響，達到穩定輸出頻率的效果。OCXO的石英晶片主要采用SC切割(也叫應力補償切割)。...
在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產生該材料的圖案的任何技術，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產生在光刻中有詳細描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。...
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會導致頂側表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導致焦點故障，如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小，這個問題變得更加嚴重。BS顆粒可能在濕工作臺引起其他問題，其中BS顆...
陶瓷電容憑借耐熱性能好、絕緣性能優良、結構簡單、價格低廉等優點，應用日趨廣泛，可是由于產品型號繁多，在選型時難免讓人眼花繚亂。如何能夠針對設計要求和應用場景，快速地鎖定你想要的那顆料？Vishay 為你提供了一款高效的陶瓷電容選型工具—— ? Vishay 新推出的 陶瓷電容產品選型白皮書，整合了 ...
接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕刻以形成非球面表面。 我們使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具...
?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定成形零件精度和最終表面質量的因素。我們演示了1毫米和5毫米的復制非球面相位板，再現散焦，傾斜，散光和高階...
摘要 本研究開發了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經過商業脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制反應，代替脫蠟器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結合，以減少蠟去除時間并完全去...
摘要 化學機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導體器件制造的一個關鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發生刷-粒子接觸。考慮了直徑為0.1和1.0m的氧化鋁顆粒粘附在拋光二氧化硅和銅表面的模型系統。結果表明，流體力學力量可以去...
從智能手機到汽車，消費者要求將更多功能封裝到越來越小的產品中。為了幫助實現這一目標，TI 優化了其半導體器件（包括用于子系統控制和電源時序的負載開關）的封裝技術。...
封裝的作用及其對摩爾定律微縮的貢獻正在演進。直到2010年代，封裝的主要作用是在主板和芯片之間傳輸電源和信號，并保護芯片。...
引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間真實接觸面積的可視化結果。在半導體器件制造過程中，這次的專題“清洗與凈化”是一個非常重要的事項。基本上半導體工廠都是潔凈室...
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