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晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學過程。晶片鍵合用于各種技術，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應用程序中。其他應用領域包括三維集成、先進的封裝技術和CI制造業在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進三維集成的技術中發揮著關鍵作用。...
光刻是在基板表面形成復雜設計或結構的過程。光刻技術已經作為一種制造技術使用了數百年。它最初是為印刷機開發的，現在已經成功了作為一種被稱為光刻的微細制造技術而被應用。...
本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學計量可重復性，然后將該光學配準數據與最終的電氣配準數據進行比較，來仔細檢查圖像放置性能。...
華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內的消費產品相關設備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各種工藝流程(先通孔、中間通孔和最后通孔)影響代工廠和 OSAT 制造地點所需的相對集成水平。 Via last 為工藝集成提供了明顯的優勢，包括最大...
鋰離子電池內部存在動態的電化學反應，其對水分、氧氣較為敏感，電芯內部存在的有機溶劑，如電解液等遇水、氧氣等會迅速與電解液中的鋰鹽反應生成大量的HF，影響電芯電化學性能(如容量、循環壽命)。...
使用Altium Designer右下角的“Panels”按鈕打開“View Configuration”面板，并在該面板中啟用3D Body Reference Point / Custom Snap Points可見性，或View ? Panels ? View Configuration。...
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現性。在MACE期間，除了酸堿度和溫度、金屬催化劑尺寸和覆蓋密度在化學鍍過程中起著重要作用。從鍍液濃度和沉積時間方面優化MA...
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因為其在制造中的可重復性和均勻性...
從PCB上述各因素的分析是解決印制板溫升的有效途徑，小編認為，往往在一個產品和系統中這些因素是互相關聯和依賴的，大多數因素應根據實際情況來分析，只有針對某一具體實際情況才能比較正確地計算或估算出溫升和功耗等參數。...
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預涂處理還改變...
IC的散熱主要有兩個方向，一個是由封裝上表面傳到空氣中，另一個則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。...
引言 包括GaN和SiC在內的寬帶隙半導體已被證明適用于高功率微波電子器件。AlGaN/GaN基本的研究結果令人印象深刻。雙極***引力。然而，由于普通材料的活化能較大，已經證明在GaN膜中實現高p型導電性非常困難。這導致GaN N-p-n異質結雙極晶體管(HBTs)中的基極電阻過大。在本文...
雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。...
本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性...
能夠在相同或更小的占用空間內將 256 MB DDR SiP 升級到 512 MB 的 64M x 72 或 1 GB 的 128M x 72，從而滿足技術更新或預先計劃的產品改進需求...
硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序:...
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子對于蝕刻反應具有不同的活化能，并且Si的KOH蝕刻不受擴散限制而是受蝕刻速率限制，所以蝕刻過程各向異性...
近年來，半導體技術發展迅速，集成電路產業規模不斷擴大。5G 時代的到來，對射頻器件所用半導體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電子遷移率成為該領域的新興材料，在大功率、射頻、高頻微波等應用領域具有良好的應用前景 。...
也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封...
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