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• 如何安裝Keil開(kāi)發(fā)環(huán)境及如何更新開(kāi)發(fā)環(huán)境的FSP庫(kù)版本

  使用Keil 軟件開(kāi)發(fā)瑞薩RAMCU還需要RA芯片包以及RASC軟件，它們和e2s一樣都可以在同一個(gè)下載頁(yè)面獲得。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1304次閱讀 · 0評(píng)論 芯片keil開(kāi)發(fā)環(huán)境FSP
  

• e2studio和Keil簡(jiǎn)介及如何安裝e2studio開(kāi)發(fā)環(huán)境

  （簡(jiǎn)稱(chēng)為e2或e2s）是瑞薩電子的一款包含代碼開(kāi)發(fā)、構(gòu)建和調(diào)試的開(kāi)發(fā)工具。e2studio基于開(kāi)源EclipseIDE和與之相關(guān)的C/C++開(kāi)發(fā)工具（CDT）。e2studio托管了瑞薩的FSP靈活配置軟件包，這是一個(gè)用于支持瑞薩MCU開(kāi)發(fā)的固件庫(kù)。通過(guò)使用FSP庫(kù)，我們可以輕松配置和管理瑞薩MCU...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1204次閱讀 · 0評(píng)論 keil瑞薩電子開(kāi)發(fā)環(huán)境
  

• 碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢(shì)

  為減緩氣候變化的步伐，人類(lèi)在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進(jìn)展，并且交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速。這些新興技術(shù)幾乎都要求使用大功率，對(duì)電源的要求更加苛刻。例如，電動(dòng)汽車(chē)（EV）的電池包電壓現(xiàn)在動(dòng)輒超過(guò)900 VDC，容量高達(dá)95kWh。快充/超充系統(tǒng)更甚，功率輕松突破240kW。氫燃料電池...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 887次閱讀 · 0評(píng)論 示波器晶體管SiC碳化硅
  

• 氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

  氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 2057次閱讀 · 0評(píng)論 氮化鎵GaN
  

• 德州儀器音頻處理器助力汽車(chē)音響系統(tǒng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  汽車(chē)音響已從單純的娛樂(lè)用途發(fā)展成為駕駛體驗(yàn)不可或缺的一部分，旨在提高駕駛員的舒適度和安全性。主動(dòng)噪聲消除 (ANC)、沉浸式環(huán)繞聲和個(gè)性化音頻區(qū)域等音響功能傳統(tǒng)上僅限于高端車(chē)型，如今也開(kāi)始下放到入門(mén)級(jí)車(chē)型。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1337次閱讀 · 0評(píng)論 處理器德州儀器音頻汽車(chē)音響
  

• 基于DSP芯片F(xiàn)DM320RV335的ePWM占空比實(shí)時(shí)變化控制方法

  FDM320RV335作為高性能浮點(diǎn)DSP芯片，其內(nèi)置的增強(qiáng)型PWM模塊（ePWM）支持高精度占空比動(dòng)態(tài)調(diào)整，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、光伏逆變器等領(lǐng)域。本文結(jié)合硬件設(shè)計(jì)與調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，闡述基于該芯片的ePWM占空比實(shí)時(shí)變化控制方法。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1337次閱讀 · 0評(píng)論 dsp芯片電機(jī)控制PWM逆變器
  

• NAND Flash與SD NAND的存儲(chǔ)扇區(qū)架構(gòu)差異

  NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲(chǔ)扇區(qū)分配表都是用于管理存儲(chǔ)設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以便實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫(xiě)和存儲(chǔ)空間的有效管理。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1081次閱讀 · 0評(píng)論 單片機(jī)NANDFlaSh
  

• IGBT IPM的模擬溫度輸出功能

  VOT輸出是將LVIC單元的溫度轉(zhuǎn)換為模擬電壓并輸出的功能，主要用于監(jiān)控溫度，以便在發(fā)生超出預(yù)期的溫升時(shí)提供保護(hù)。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 857次閱讀 · 0評(píng)論 微控制器熱敏電阻IGBTIPM
  

• IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

  IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1513次閱讀 · 0評(píng)論 二極管IGBT續(xù)流二極管
  

• LabVIEW運(yùn)動(dòng)控制（二）：EtherCAT運(yùn)動(dòng)控制器的多軸示教加工應(yīng)用（中）

  LabVIEW多軸示數(shù)加工應(yīng)用...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1273次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)動(dòng)控制器運(yùn)動(dòng)控制運(yùn)動(dòng)控制卡ethercat
  

• NXP AFCI工具鏈操作指南 工程師從“小白”到“大神”的進(jìn)階之路

  之前介紹恩智浦基于MCXN系列帶有NPU的MCU產(chǎn)品開(kāi)發(fā)了AFCI電弧檢測(cè)方案智能守護(hù)，安全無(wú)憂(yōu)：恩智浦MCX N系列NPU電弧檢測(cè)技術(shù)解析，加快用戶(hù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)流程。基于NPU的AFCI檢測(cè)方法無(wú)論在檢測(cè)線(xiàn)路距離還是檢測(cè)靈敏度都比傳統(tǒng)方案具有一定優(yōu)勢(shì)。 本文著重介紹恩智浦AFCI工具鏈的操作方法，加快...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1012次閱讀 · 0評(píng)論 mcuNXP工程師開(kāi)發(fā)板AFCI
  

• 真時(shí)延技術(shù)深度解析

  相控陣天線(xiàn)通過(guò)移相器、真時(shí)延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉(zhuǎn)向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線(xiàn)陣列是如何推動(dòng)真時(shí)延在其系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 854次閱讀 · 0評(píng)論 天線(xiàn)帶寬移相器天線(xiàn)陣列
  

• 如何精準(zhǔn)測(cè)量fF級(jí)超低電容

  典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-15范圍內(nèi)進(jìn)行非常靈敏的電容測(cè)量。這些應(yīng)用包括測(cè)量金屬到金屬的電容，晶片上的互連電容，MEMS器件，如：開(kāi)關(guān)，納米器件端子之間的電容。如果沒(méi)有使用適...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 19020次閱讀 · 0評(píng)論 半導(dǎo)體電容憶阻器納米器件
  

• 分析二階RC濾波電路

  目錄驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電路隔離措施驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)電路的要求驅(qū)動(dòng)電路實(shí)質(zhì)led驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)須知電路組成驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路的介紹驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1008次閱讀 · 0評(píng)論 濾波電路晶體管RC驅(qū)動(dòng)電路
  

• 恩智浦分享Zephyr調(diào)試技巧

  前面幾期中，我們著重給大家介紹了如何搭建Zephyr開(kāi)發(fā)環(huán)境，以及如何添加自己的應(yīng)用代碼。今天讓我們開(kāi)始一個(gè)新的篇章：Zephyr調(diào)試技巧以及介紹Ozone進(jìn)行Zephyr的調(diào)試分享。 Zephyr調(diào)試技巧 printk調(diào)試法 ：通過(guò)使用prink來(lái)打印一些輔助調(diào)試信息，操作簡(jiǎn)單，適合于基礎(chǔ)的pro...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1198次閱讀 · 0評(píng)論 恩智浦Zephyr

• 探究光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)的應(yīng)用

  科學(xué)采用光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程關(guān)鍵技術(shù)不僅能夠提高微電網(wǎng)的建設(shè)水平，而且能促使微電網(wǎng)與配電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)*效、穩(wěn)定互動(dòng)。基于此，分析微電網(wǎng)技術(shù)，研究光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)光儲(chǔ)充一體化智能微電網(wǎng)工程的良好運(yùn)行提供助力。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1128次閱讀 · 0評(píng)論 智能微電網(wǎng)分布式光伏
  

• 差分晶振-LVPECL到LVDS的連接

  LVPECL電平的差分?jǐn)[幅較大（典型值約800mV），共模電壓較高（約1.3V-1.9V），需外部端接電阻匹配；而LVDS差分?jǐn)[幅較小（350mV），共模電壓較低（約1.2V），且LVDS接收端內(nèi)置端接電阻?。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1283次閱讀 · 0評(píng)論 晶振lvdsLVPECL揚(yáng)興科技差分晶振
  

• 集成電路制造中的劃片工藝介紹

  本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類(lèi)、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 1458次閱讀 · 0評(píng)論 集成電路晶圓工藝
  

• 手機(jī)充電器芯片U95153的工作模式

  手機(jī)充電器芯片U95153典型輸出功率(85—264Vac)12W，谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高，恒流、恒壓調(diào)整率小于±5%。今天著重介紹下U95153原邊恒壓控制(PSR-CVM)和原邊恒流控制 (PSR-CCM)兩種模式！...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 916次閱讀 · 0評(píng)論 芯片運(yùn)算放大器手機(jī)充電器
  

• SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。...

  類(lèi)別：電子說(shuō) 787次閱讀 · 0評(píng)論 芯片MOSFETIGBTSiC靜態(tài)特性
  
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