半導(dǎo)體制造孕育新機(jī)遇，新技術(shù)變革在所難免

導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開(kāi)始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光（DP）技術(shù)可能達(dá)到10n...

2013-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓TSV 1985 0

Littelfuse推出新款TSV陣列SP1005-01ETG

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse新推出兩款0402規(guī)格產(chǎn)品，可為現(xiàn)代集成電路（IC）提供更有效的靜電放電（ESD）保護(hù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其SP...

2012-12-11 標(biāo)簽：電源芯片TSVLittelfuse 1929 0

微控制器整合多軸MEMS傳感器的必要性

Sensor Hub（傳感器集線器）方案整合度將再次大幅提升。微控制器（MCU）供應(yīng)商正借重系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）和硅穿孔（TSV）技術(shù)，整合微控制器和多...

2018-06-14 標(biāo)簽：傳感器siptsv 1802 0

分析：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)

TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITI...

2012-02-21 標(biāo)簽：IC制造TSV3dic 1756 0

高通和英特爾介紹用在移動(dòng)SOC的TSV三維封裝技術(shù)

在“NEPCON日本2013”的技術(shù)研討會(huì)上，英特爾和高通分別就有望在新一代移動(dòng)SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)實(shí)用的 TSV（硅通孔）三維封裝技術(shù)發(fā)表了演...

2013-01-22 標(biāo)簽：高通英特爾SOC 1656 0

編輯視點(diǎn)：日本TSV技術(shù)能否再現(xiàn)輝煌？

　　在日本，硅通孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)從10多年前開(kāi)始就備受業(yè)界關(guān)注。比如，日本超尖端電子技術(shù)開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（ASET）從1...

2012-04-18 標(biāo)簽：高通賽靈思TSV 1635 0

TSV硅通孔填充材料

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）TSV（Through Silicon Via）即硅通孔技術(shù)，是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片...

2025-04-14 標(biāo)簽：TSV硅通孔 1614 0

可穿戴式電腦，未來(lái)能否實(shí)現(xiàn)？

可穿戴式電腦將會(huì)成為下一波主流趨勢(shì)，不僅是一種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，也會(huì)是全方位的運(yùn)算解決方案;在過(guò)去數(shù)年，可穿戴式電子產(chǎn)品一直是產(chǎn)業(yè)界的熱門(mén)話題，以健身配件...

2013-05-24 標(biāo)簽：GPUTSV可穿戴 1520 0

英飛凌面向移動(dòng)系統(tǒng)推出具備低動(dòng)態(tài)電阻和超低電容的TVS器件

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今日推出一系列可為移動(dòng)電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制（TVS）...

2013-06-05 標(biāo)簽：英飛凌TSV 1486 0

TSV三維堆疊芯片的可靠性問(wèn)題

TSV 三維封裝技術(shù)特點(diǎn)鮮明、性能好、前景廣闊， 是未來(lái)發(fā)展方向，但是 TSV 堆疊芯片這種結(jié)構(gòu)和工 藝復(fù)雜性的提高，為三維封裝的可靠性控制帶來(lái)了 挑戰(zhàn)...

2024-12-30 標(biāo)簽：芯片堆疊TSV 1449 0

工業(yè)以太網(wǎng)連接器介紹

工業(yè)以太網(wǎng)SPE連接器是一種全新的連接器，它可以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)（例如，IEEE 802.3）上更高的帶寬，同時(shí)還能適應(yīng)工業(yè)環(huán)境下的特殊要求。SPE連接器...

2023-05-25 標(biāo)簽：連接器工業(yè)以太網(wǎng)TSV 1423 0

未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)不確定性引發(fā)的思考

IC Insight指出在2007年至2012年期間，全球IC市場(chǎng)的年均增長(zhǎng)率CAGR僅為2.1%，而2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過(guò)最低增長(zhǎng)的困難的5...

2014-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓TSV 1402 0

3D芯片技術(shù)漸到位 業(yè)務(wù)合作模式成關(guān)鍵

采用矽穿孔（TSV）的2.5D或3D IC技術(shù)，由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢(shì)，并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn)，是近年來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展...

2013-03-07 標(biāo)簽：3D芯片TSV 1342 0

TSV制程技術(shù)日愈成熟，模擬芯片將邁向3D時(shí)代

類比積體電路設(shè)計(jì)也將進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開(kāi)發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過(guò)矽穿孔(...

2019-10-21 標(biāo)簽：TSV模擬芯片 1335 0