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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2824個 瀏覽：64930次 帖子：124個

      sic技術

      Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件

      汽車、工業、太空和國防領域越來越需要能提升系統效率、穩健性和功率密度的SiC功率產品。

      2019-08-08 標簽：微芯SiC 5043 0

      碳化硅技術標準_碳化硅工藝

      碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

      2023-02-03 標簽：石英SiC碳化硅 5041 0

      GaN 和 SiC 器件相似和差異

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      GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

      2021-11-17 標簽：SiCGaN半導體器件 5037 0

      高可靠性SiC MOSFET芯片優化設計

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      以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產車型成功應用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產業界的認...

      2022-02-18 標簽：芯片MOSFETSiC 5018 0

      功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞

      功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

      2013-03-07 標簽：SiCGaN功率半導體 5017 0

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      碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      2023-02-12 標簽：SiC碳化硅 5010 0

      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些

      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些

      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術...

      2023-02-03 標簽：SiC襯底碳化硅 4972 0

      干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉換器驅動

      基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽...

      2019-06-13 標簽：SiCGaN 4834 0

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      外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

      2023-11-30 標簽：半導體功率器件SiC 4812 0

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      新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，...

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      SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產效率低，加大了襯底的成本。

      2023-06-25 標簽：半導體技術SiCCMP 4735 0

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      碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...

      2023-09-12 標簽：MOSFET半導體SiC 4654 0

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      2021-09-06 標簽：英飛凌pcbMOSFET 4653 0

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      SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

      2023-02-16 標簽：封裝技術功率器件SiC 4599 0

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      SiC，作為發展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

      2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 4597 0

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      碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。

      2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 4596 0

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      人類社會的進步離不開社會上各行各業的努力，各種各樣的電子產品的更新換代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產品的組成，比如SiC光伏并網逆變器。

      2021-01-03 標簽：MOSFET逆變器SiC 4519 0

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      橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。

      2023-06-25 標簽：MOSFET晶圓電壓源 4509 1

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      SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

      2023-12-13 標簽：芯片MOSFETIGBT 4490 0

      什么是半導體材料？半導體材料的發展之路

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      半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。

      2023-08-07 標簽：集成電路半導體材料SiC 4478 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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