SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器IGBTSiC 4000 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 3990 0

由開(kāi)關(guān)器件的材料變革帶來(lái)的高壓電氣部件的能力提升

EQC的銅排設(shè)計(jì)看上去很不合理，不過(guò)需要考慮從兩個(gè)分離的負(fù)極單獨(dú)取電，然后匯集到配電盒里面，對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法，這項(xiàng)工作的復(fù)雜度就比較...

2018-09-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiC 3919 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3898 0

相對(duì)于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優(yōu)勢(shì)

最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 3892 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3879 0

SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。

2022-11-07 標(biāo)簽：MOSSiC驅(qū)動(dòng)電壓 3808 0

碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

　　在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標(biāo)簽：二極管MOSFET濾波器 3806 0

想做車用SiC元件？這點(diǎn)一定不能錯(cuò)過(guò)！

在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供...

2019-01-12 標(biāo)簽：汽車電子SiC 3726 0

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3684 0