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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 421 0
對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專(zhuān)業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí),幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 415 0
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類(lèi)的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 413 0
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 410 0
SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 408 0
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極-源極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(II),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一...
TMS320F280034-Q1 汽車(chē)級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ),通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
UCC14141-Q1 汽車(chē)級(jí) 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14141-Q1 是一款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14141-Q1 將變...
SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無(wú)熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè),只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
UCC28C56H-Q1 汽車(chē)類(lèi) 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)SiC單晶時(shí),微管極易形成,并且...
TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包...
特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用主從架構(gòu),主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測(cè)試、高壓互鎖、 接觸器控制、對(duì)外部通信等功能,從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...
分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用
更高的效率,省電池,省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續(xù)航里程 -同樣的...
2 kV SiC功率模塊:推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命
由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
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