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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 421 0

碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專(zhuān)業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 415 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC Infineon 碳化硅 415 0

SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)

從人類(lèi)的角度來(lái)看，幾代人過(guò)得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導(dǎo)體...

2023-02-17 標(biāo)簽：FET SiC GaN 413 0

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 413 0

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...

2025-06-03 標(biāo)簽：IGBT SiC 芯片封裝 411 0

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 410 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 408 0

探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（II），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 402 0

TMS320F280034-Q1 汽車(chē)級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包括但不...

2025-04-15 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 394 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ)，通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 392 0

UCC14141-Q1 汽車(chē)級(jí) 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC14141-Q1 是一款符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊，旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14141-Q1 將變...

2025-04-17 標(biāo)簽：IGBT 電源模塊 SiC 387 0

TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無(wú)熔點(diǎn)，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè)，只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...

2025-04-18 標(biāo)簽：晶體工藝 SiC 382 0

淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆變器在這兩點(diǎn)均...

2023-01-09 標(biāo)簽：控制器逆變器 IGBT 381 0

UCC28C56H-Q1 汽車(chē)類(lèi) 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 379 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)SiC單晶時(shí)，微管極易形成，并且...

2025-04-24 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 375 0

TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包...

2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器電力電子器件 SiC 374 0

關(guān)于特斯拉電動(dòng)化路徑總結(jié)

特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用主從架構(gòu)，主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測(cè)試、高壓互鎖、接觸器控制、對(duì)外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...

2023-06-07 標(biāo)簽：接觸器特斯拉功率器件 372 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量，增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽：控制器 SiC 碳化硅 372 0

2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 372 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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