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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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第4世代SiC MOSFET使用時的應用優勢

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2022-07-22 標簽：MOSFET SiC 708 0

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2023-06-16 標簽：MOSFET SiC 功率半導體 703 0

SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點

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2025-03-09 標簽：MOSFET SiC 變流器 701 0

SiC SBD的靜態特性和動態特性

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2025-02-26 標簽：二極管三菱電機 SBD 698 0

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適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)

2024-01-26 標簽：電容器逆變器 SiC 698 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰

本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 698 0

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隔離式柵極驅動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報告內容包含：效率和功率密度推動變革基本的 MOSFET 柵極驅動器功能驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動器進化以支持 ...

2023-12-18 標簽：MOSFET IGBT SiC 692 0

如何設計 IGBT 和 SiC FET 驅動電路以防止誤觸發？

在設計IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅動電路的正確設計與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環境的關注是可再生能源、智能工業和電動出行等趨勢背后...

2024-11-05 標簽：IGBT 驅動電路 SiC 691 0

如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。

2023-06-04 標簽：二極管 IGBT PFC 691 0

SiC MOS管的結構特點

硅碳化物（SiC）是一種重要的半導體材料，近年來因其優越的物理和化學特性而在功率電子器件中受到廣泛關注。SiCMOS管（Metal-Oxide-Semi...

2025-03-03 標簽：半導體 MOS管 SiC 690 0

碳化硅二極管在各個領域的應用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為新能...

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2023-02-21 標簽：PFC SiC LLC 689 0

益登科技受邀參加意法半導體工業峰會

意法半導體一年一度的工業峰會于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦，工業峰會是意法半導體充分展示工業產品技術和解決方案廣度和深度的頂級盛會，今年已經進行到第...

2024-11-06 標簽：電動汽車意法半導體 SiC 688 0

工業電池充電器的PFC級拓撲對比

工業設備正在向電動化轉型，亟需穩健、可靠、高效的電池充電方案。從電動工具到重型機械，其充電器必須能夠適應惡劣的環境和不同的電源(120-480 Vac)...

2025-04-09 標簽：MOSFET 充電器安森美 686 0

基于碳化硅的可再生能源系統設計挑戰

太陽能逆變器和ESS應用以及其他可再生能源系統正在使能源網現代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統必須在惡劣的環境中盡可能高效，...

2023-09-06 標簽：MOSFET 太陽能逆變器 684 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化

2023-12-15 標簽：MOSFET 半導體 SiC 684 0

提高SiC外延生長速率和品質的方法

SiC外延設備的復雜性主要體現在反應室設計、加熱系統和旋轉系統等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發，嚴重影響外延膜的質...

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隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應用對系統效率的不斷追求，SiC 功率半導體市場將迎來前所未有的增速。

2023-11-07 標簽：新能源汽車 SiC 功率半導體 681 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關產生的電流和電壓

在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。

2023-02-08 標簽：MOSFET 驅動電路 SiC 675 0

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