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      標簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個 瀏覽：138180次 帖子：346個

      nand資訊

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      知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷...

      2024-07-31 標簽：NAND美光固態(tài)硬盤 1137 0

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      SD NAND供電電源的重要性

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      下圖是sd協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SDNAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V電源供電需要注意一下幾個方面：1、為了確保芯片能正常上電復(fù)位，電壓要在0.5...

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      【Zynq-7000 SoC 設(shè)計咨詢】：BootROM NAND 驅(qū)動中發(fā)生緩沖器上溢

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      2022-08-02 標簽：NANDZynq-7000bootrom 1133 0

      三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

      三星電子即將啟動一項重大舉措，計劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計將對全球半導(dǎo)體市...

      2024-11-12 標簽：半導(dǎo)體NAND三星電子 1130 0

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      NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的

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      美光預(yù)計2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

      近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲解決方案提供商美光科技發(fā)布了《車用存儲大趨勢白皮書》。該白皮書深入探討了未來五年內(nèi)車用存儲市場的增長趨勢和預(yù)測。根據(jù)預(yù)測，到2...

      2024-02-02 標簽：半導(dǎo)體NAND美光科技 1124 0

      CXL對數(shù)據(jù)中心的意義

      一刀切的模式是行不通的，這就是為什么您會看到云提供商擁有數(shù)十種甚至數(shù)百種不同的實例類型。這些正在嘗試針對不同的工作負載優(yōu)化硬件產(chǎn)品。即便如此，許多用戶最...

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      美光科技32GB NVDIMM離久性存儲更進一步

      通過以超快的 DRAM 速度處理關(guān)鍵數(shù)據(jù)，持久存儲器在延遲、帶寬、容量和成本之間實現(xiàn)了獨有的平衡。而讓其在普通服務(wù)器 DRAM 中獨樹一幟的原因在于，它...

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      2019-02-28 標簽：DRAMNAND存儲 1119 0

      MK米客方德SD NAND：小容量到大容量的全方位覆蓋

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      高清視頻制作 對于需要處理4K或8K視頻的專業(yè)視頻制作，大容量SD NAND提供了足夠的空間來存儲高分辨率視頻文件，確保了視頻編輯和后期處理的流暢性。

      2024-06-25 標簽：mcuNAND存儲 1117 0

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      2024-08-26 標簽：單片機NANDSTM32 1114 0

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      據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nan...

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      三星和鎧俠持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

      AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益...

      2024-07-05 標簽：NANDFlaShqlc 1113 0

      英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤發(fā)布，以便擴大3D NAND供應(yīng)

      近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應(yīng)。

      2018-08-01 標簽：英特爾NAND 1113 0

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      隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應(yīng)用，對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復(fù)雜。

      2020-12-11 標簽：控制器NANDTDK 1113 0

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        安博會
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        云盤
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      • FORESEE
        FORESEE
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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        USB 3.0接口
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        長鑫存儲
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        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • Ceph
        Ceph
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