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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

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      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個 瀏覽：138106次 帖子：345個

      nand資訊

      英特爾第二代傲騰固態(tài)硬盤支持PCIe 4.0，使用第二代3D XPoint介質(zhì)

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      2020-05-13 標(biāo)簽：英特爾nand固態(tài)硬盤 6310 0

      閃存和其他相關(guān)技術(shù)的未來將充滿希望

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      2020-05-13 標(biāo)簽：閃存NAND 2771 0

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      2020-05-08 標(biāo)簽：芯片dramnand 2114 0

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      2020-05-08 標(biāo)簽：nandssd長江存儲 3427 0

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      NOR Flash多年來一直作為汽車的一種可靠技術(shù)，如今已應(yīng)用于各種汽車系統(tǒng)，包括儀表集群、信息娛樂和遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)。

      2020-05-07 標(biāo)簽：NAND汽車電子 1266 0

      金士頓M.2 2280 NVMe固態(tài)硬盤新品，支持96層3D TLC NAND技術(shù)

      4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態(tài)硬盤新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI...

      2020-04-29 標(biāo)簽：nand金士頓固態(tài)硬盤 4419 0

      NAND Flash 行業(yè)動態(tài)與趨勢：國產(chǎn)突圍，迫在眉睫

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      全球半導(dǎo)體協(xié)會 SIA 數(shù)據(jù)顯示，存儲芯片產(chǎn)業(yè) 2019 年全球銷售額約 1200 億美元，約占全球半導(dǎo)體市場營收 4121 億美元的 30%。

      2020-04-27 標(biāo)簽：Nand三星電子存儲器 2916 0

      我國存儲芯片達(dá)國際領(lǐng)先水平，中國制造再鑄輝煌

      據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)。

      2020-05-04 標(biāo)簽：NAND存儲芯片 2612 0

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      2020-04-19 標(biāo)簽：NAND蘋果 2712 0

      三星加速開發(fā)160層或更高的超高堆疊NAND 三星電子展示5G毫米波最快下載速度

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      2020-04-18 標(biāo)簽：NAND三星電子5G毫米波 7403 0

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      4月14日消息，美光廠商正式發(fā)布了全新容量和功能的美光5210 ION企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤產(chǎn)品，作為全球首款QLC SSD設(shè)備，美光的目的就是為了快速...

      2020-04-16 標(biāo)簽：nand存儲ssd 3578 0

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      2020-04-16 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲 6290 1

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      2020-04-14 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲芯片 1.4萬 0

      長江存儲128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

      作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND...

      2020-04-13 標(biāo)簽：NANDSSD長江存儲 1677 0

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      2020-04-13 標(biāo)簽：閃存nand長江存儲 3846 0

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      4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用...

      2020-04-09 標(biāo)簽：nandssdsk海力士 4090 0

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      4月8日零時，武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施，而位于武漢的國家存儲器基地長江存儲的研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。

      2020-04-08 標(biāo)簽：NAND長江存儲 3639 0

      長江存儲表示128層3D NAND技術(shù)會按計(jì)劃推出

      據(jù)證券時報(bào)消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度...

      2020-04-08 標(biāo)簽：NAND長江存儲 2722 0

      NAND Flash實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，即將跨入128層時代

      日前，美光發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，其在電話會議中美光透露，即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG（replacement gate）架構(gòu)的第四代3D NAND存儲設(shè)備。

      2020-04-07 標(biāo)簽：閃存NAND華秋DFM 2616 0

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