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NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。
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238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片,生產效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產品的數據傳輸速度為每秒 2.4Gb,號稱比上一代的...
傳Marvell裁撤中國臺灣NAND Flash控制IC團隊
目前,Marvell以自主開發或外包的方式,為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此,Marvell在企業市場上的運營受到了影響,Marvell正在縮...
展望后市,集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷樂觀預計,明年DRAM產值將增加超40%,NAND產值預計增超25%。不過,吳雅婷還是提醒,產業復蘇雖是進行式,...
在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者,并得到了行業和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創新改善了3D NAND的速度、性能...
訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
沁恒 CH32V208 開發板免費試用+ U盤/ SD NAND讀寫與多功能數碼相框
CH32V208繼承了沁恆產品一貫的傳統,即U盤的讀寫功能。這使得盡管CH32V208的閃存要比CH32V307的小一倍,但有了U盤讀寫功能的支持就可有...
三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉整個閃存市場,穩定NAND閃存價格,并實現明年上半年逆轉市場等目標。
Kim Jae-jun補充道:“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力。”三星電子負責半導體業務的DS部門計劃...
值得注意的是,信達證券此前援引行業消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價,MobileDRAM合約價環比漲幅預估將擴大至11%-25%;NAND Flash...
根據近日三星向客戶公布的四季度官價,移動DRAM合約價環比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等...
目前,美光公司在西安擁有DRAM產品包裝及模塊制造工廠,在上海運營尖端ssd和移動nand產品的設計中心。美光公司還在中國經營著三家客戶研究所
這是國內半導體業界多名消息人士透露的。據悉,三星繼本季度將nand閃存價格上調10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調20%。這是為了穩定n...
在此之前,三星、sk海力士、美光、皮協因需求嚴重疲軟而采取了大規模減產措施,三星也在今年4月公布了閃存第一次減產計劃后延長了減產計劃。
據業界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產的128段(v6) nand閃存生產線擴大到236段(v8)。三星決定從明...
鎮岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規格、zns接口協議、16個高速nand通道,支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...
盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片
盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存儲主控芯片是一種集成電路芯片,用于控制和管理存儲設備。它負責管理多個存儲單元 (如內存、...
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5月開發出10nm級第5代(1b)DDR5,供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計,由于DDR5需...
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