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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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12英寸生產線的布局對化任偉表示,重慶12英寸生產線的撲克星力量零部件產品主要mosfet和igbt等,其中mosfet的重點布局是mos先進頻道中低壓...
增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題,英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMO...
具有高開關速度和過溫保護功能的MOSFET驅動器 日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅動器系列,...
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上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品,分別為650V 40mΩ規格的...
NP2302FVR-J(20 v n溝道增強型MOSFET)
NP2302FVR-J使用先進的海溝技術 提供優秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細胞設計導通電阻。這個設備適合作為負荷開關或脈寬調制 應用程序。
意法半導體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低開關功率損耗
STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進多個關鍵參數,最大限度減少系統功率損耗,特別適合基于反激式拓撲的照明應用。
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽...
宜普電源轉換推出eGaN?FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解決方案
EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。
根據溝道摻雜類型的不同,MOSFET分為nMOSFET和pMOSFET兩種,兩者組合在一起即為互補型MOS(Complementary MOS,CMOS...
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