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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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意法半導體推出了 L9918 車規交流發電機穩壓器,以更強的功能確保 12V 汽車電氣系統穩定。
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅動IC1...
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內燃機 (ICE) 和混合...
MOSFET規格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎?如何計算真實的通流能力?-電路易錯點
Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關鍵參數以及電路設計關注點,其中Diode continuous forward cur...
Power Efficiency in Next-Gener
The need for ultra-low on-resistance and low switching losses can make noteb...
2009-04-29 標簽:MOSFET 1230 0
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產品系列,可支持1700 V IGBT
美國加利福尼亞州圣何塞,2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者(納斯達克股票代號:POWI)今天推出SC...
CISSOID的N溝道功率MOSFET晶體管的性能特點及應用范圍
高溫半導體解決方案的領導者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET晶體管,保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內工作。這些名為CHT...
飛兆半導體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET
高端AC-DC開關電源 (SMPS) 應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度;為了取得成功,設計者需要具有成本效益的解決方案,從而佔用更小...
對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠...
Vishay宣布推出新款第四代n溝道功率MOSFET 導通電阻比前代器件降低36%
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,柵極電荷為52 nC,輸出電荷為68 nC均達到同類產品最佳水平
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業內最低導通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPA...
飛兆半導體推出經優化的功率MOSFET產品UniFET II MOSFET
飛兆UniFET II MOSFET優化消費產品功率轉換器
全新650 V CoolMOS? CFD7A系列為汽車應用帶來量身定制的超結MOSFET性能
憑借在汽車領域的多年從業經驗,英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合,推出CoolMOS? CFD7A系列。
峰岹 料理機方案FU6812+FD6636+N MOSFET
FD6636S是一款集成三個獨立的半橋柵極驅動集成電路芯片,專為高壓、高速驅動MOSFET和IGBT設計,可在高達+600V電壓下工作。FD6636S內...
2024-08-05 標簽:MOSFET 1221 0
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