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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展
近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相
Maxim發(fā)布3相MOSFET柵極驅(qū)動器,可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半
全集成的TMC6140-LA有效簡化高性能無刷直流電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計(jì),效率提升30%。
英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù),助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技...
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
2013 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN...
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
宜普推高頻氮化鎵場效應(yīng)芯片高效無線電源展示系統(tǒng)
宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統(tǒng),內(nèi)含具高頻開關(guān)性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應(yīng)電晶體是這種系統(tǒng)的一個理想解決方案,因?yàn)樗邆涞男阅芸梢?..
設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在正在將超級電容器用于能量收集、辦公自動化、備份系統(tǒng)等領(lǐng)域的一系列新產(chǎn)品。這些超級電容器電池提供高效的存儲,可以根據(jù)需要快速釋放能量。為確保最...
瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證
近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子...
Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于,與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...
東芝為移動設(shè)備的高電流充電電路提供超緊湊型MOSFET
日前,東芝公司宣布,公司已為智能手機(jī)與平板電腦燈移動設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET,包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“S...
安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域,寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進(jìn)步,也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2024-06-19 標(biāo)簽:MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1303 0
新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET
新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,...
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET高速開關(guān) 1302 0
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器
Microchip宣布與Mersen合作推出150千伏安(kVA)三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)。
Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET,具有極低導(dǎo)通電阻,適合快速充電設(shè)備
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱“Toshiba”)推出了“SSM14...
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高...
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是...
600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction
600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù) 日前,Vishay Intertechnology,...
通嘉發(fā)布集成700V MOSFET的節(jié)能PWM IC
通嘉科技新推出一款節(jié)能PWM IC, 內(nèi)建700V MOSFET,待機(jī)耗電小于0.1W, 相當(dāng)適合應(yīng)用于精巧的變壓器設(shè)計(jì), 是一款兼具節(jié)能低功耗及低成本...
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