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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“...
IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 Di...
buck同步整流怎么控制電流方向? Buck同步整流技術(shù)是一種廣泛用于DC/DC變換器中的電路拓撲,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和高功率密度。在這種電路中,同步整流器...
全SiC MOSFET模塊實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體器件,在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅(Si)IGBT和MOSFET器...
Vishay推出新款30V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,是市場上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。
描述 NP4409SR采用先進的溝槽技術(shù) 設(shè)計為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷。可用于負載開關(guān)和電池 保護應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試...
ADI宣布推出 Power by Linear?的LTM4646
Analog Devices Inc. (ADI) 宣布推出 Power by Linear?的LTM4646,該器件是一款采用 5V 或 12V 輸入...
瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認證
在科技不斷進步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當下,高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標準的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)憑借其...
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)
Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)(cos φ)范圍內(nèi)工作而設(shè)計,它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENC...
2021-06-09 標簽:英飛凌MOSFET太陽能系統(tǒng) 1614 0
東芝TLP5814H 具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座
近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強烈,最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占...
TI推出支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器LM5017
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器,進一步壯大其高電壓負載點產(chǎn)品陣營。該 600 mA LM5017 是...
PC0401 18V/4A DC-DC同步降壓芯片SOT23-6封裝
PC0401是一款簡單易用的4A同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有小尺寸的SOT23-6L封裝。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化,以最大限度地減少運行所需的外部組件,并實現(xiàn)低待機電流。
SiC MOSFET 短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
電力電子技術(shù)在日常生活中越來越普遍,尤其是現(xiàn)在,當我們正經(jīng)歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...
2022-08-04 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1602 0
青銅劍技術(shù)碳化硅MOSFET模塊驅(qū)動器2CP0335V33-LV100概述
碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發(fā)展勢頭迅猛。基于碳化硅特性,碳化硅驅(qū)動器相較于硅器件驅(qū)動器有其特殊要求,面臨不同的設(shè)計挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)...
小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負載開關(guān),它可以減小待機模式下的漏電流,抑制浪涌電流,實現(xiàn)斷電控制。負載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌,大部分負載...
2022-12-12 標簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動IC 1599 0
羅姆半導(dǎo)體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 標簽:MOSFET羅姆半導(dǎo)體 1598 0
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