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8英寸SiC襯底陣容加速發展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座

晶揚電子 ? 來源:晶揚電子 ? 2024-03-08 14:24 ? 次閱讀

近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續激增,降低SiC成本的呼聲日益強烈,最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結構中占比最高,達到50%左右。

這意味著襯底領域的成本降低和利用率的提高尤為重要。因此,大尺寸襯底由于其成本優勢,逐漸被人們寄予厚望。

根據中國SiC襯底制造商TankeBlue半導體的測算,從4英寸升級到6英寸預計單片成本可降低50%;從6英寸到8英寸,成本預計還能再降低35%。

同時,8英寸襯底可以生產更多芯片,從而減少邊緣浪費。簡單來說,8英寸襯底的利用率更高,這也是各大廠商積極研發的主要原因。

目前,6英寸SiC襯底仍占主導地位,但8英寸襯底已開始滲透市場。例如,2023年7月,Wolfspeed宣布其8英寸晶圓廠已開始向中國客戶出貨SiC MOSFET,表明其8英寸SiC襯底已批量出貨。TankeBlue半導體也已開始小規模出貨8英寸基板,計劃到2024年實現中規模出貨。

8英寸SiC襯底陣容加速發展

自2015年Wolfspeed首次展示樣品以來,8英寸SiC襯底已經經歷了7-8年的發展歷史,近兩年技術和產品開發明顯加速。

縱觀國際廠商,除了已實現量產的Wolfspeed外,還有7家SiC襯底、外延,預計今年或未來1-2年內實現8英寸襯底的量產。

投資方面,Wolfspeed繼續在美國北卡羅來納州建設John Palmour碳化硅制造中心(SiC襯底工廠)。該工廠將進一步帶動基板產能的擴張,以滿足日益增長的8英寸晶圓需求。

Coherent公司去年還宣布計劃擴大8英寸襯底和外延片的生產,在美國和瑞典都有大規模的擴建項目。在產品出口渠道方面,相干公司已獲得三菱電機和電裝10億美元的投資,為兩家公司長期提供6/8英寸SiC襯底和外延片。

意法半導體去年也投資8英寸領域,與湖南三安半導體合作建設8英寸SiC晶圓廠。后者將配套建設8英寸SiC襯底工廠,確保合資公司穩定的材料供應。同時,ST正在開發自己的襯底,此前與Soitec合作實現了8英寸SiC襯底的量產。

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就中國廠商而言,目前已有10多家企業8英寸SiC襯底進入樣品和小規模生產階段。其中包括Semisic Crystal Co、晶盛機電、SICC Co、Summit Crystal Semiconductor Co、Synlight Semiconductor Co、TanKeBlue Semiconductor Co、Harbin KY Semiconductor、IV Semitec、Sanan Semiconductor、Hypersics等公司。

除了上述公司外,目前研究8英寸基板的中國廠商還有很多,例如環球晶圓、東尼電子、和盛硅業、天成半導體等。

目前,中國襯底制造商與國際巨頭的差距已明顯縮小。英飛凌等公司已與中國廠商建立了長期合作伙伴關系。從技術角度來看,這種差距的縮小反映了全球襯底技術的整體進步。展望未來,預計各廠商的共同努力將推動8英寸基板技術的發展。

總體來看,8英寸SiC襯底整體發展勢頭強勁,數量和質量均取得重大突破。

全球8英寸SiC工廠加速擴張

隨著襯底材料不斷突破技術天花板,2023年全球8英寸SiC晶圓廠擴產規模再創新高。

據TrendForce統計,2023年大約有12個與8英寸晶圓相關的擴產項目,其中8個項目由Wolfspeed、Onsemi、意法半導體、英飛凌、羅姆等全球廠商主導。意法半導體還與三安半導體合作開展了一個項目。此外,還有3個項目由環球電源科技、聯星科技、J2半導體等中國制造商牽頭。

從地區角度來看,預計歐洲、美洲、日本、韓國、中國和東南亞等重點地區將大量投資新建8英寸SiC晶圓廠。截至目前,全球大約有11座8英寸晶圓廠正在建設或規劃中。

其中包括 Wolfspeed 的 2 個工廠(位于美國莫霍克和德國薩爾)、博世的 1 個工廠(美國羅斯維爾)、意法半導體自建的 1 個工廠(意大利卡塔尼亞)、與三安的 1 個合資工廠(位于重慶、中國)、英飛凌 1 個(馬來西亞居林)、三菱電機 1 個(日本熊本)、羅姆 2 個(日本筑后和日本國富)、安森美半導體 1 個(韓國富川) ,以及富士電機(位于日本松本)的 1 個。

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從廠商的擴張方向來看,博世和安森美半導體2023年的投資直接瞄準了汽車SiC市場。意法半導體計劃在意大利建設的8英寸SiC芯片工廠也瞄準了電動汽車市場。雖然其他廠商尚未明確未來產能的應用方向,但電動汽車是SiC當前和未來的主要增長引擎,成為各大廠商擴產的重點。

在電動汽車領域,800V高壓平臺已成為明顯的發展趨勢。800V平臺需要更高電壓的功率半導體元件,促使制造商開始開發1200V SiC功率器件。

從成本角度來看,雖然短期內6英寸晶圓是主流,但為了降低成本和提高效率,8英寸等更大尺寸的趨勢是不可避免的。因此,未來電動汽車市場預計將帶動8英寸晶圓需求持續增長。

從供應鏈角度來看,轉向8英寸晶圓對于SiC制造商來說是一個突破。根據行業洞察,6英寸SiC器件市場已進入激烈競爭階段,尤其是SiC JBD。對于規模較小、競爭力較弱的企業來說,利潤空間日益受到擠壓,預示著未來一輪整合重組即將到來。




審核編輯:劉清

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