女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

青銅劍技術碳化硅MOSFET模塊驅動器2CP0335V33-LV100概述

青銅劍技術 ? 來源:青銅劍技術 ? 2022-12-29 11:34 ? 次閱讀

碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發展勢頭迅猛。基于碳化硅特性,碳化硅驅動器相較于硅器件驅動器有其特殊要求,面臨不同的設計挑戰。青銅劍技術針對碳化硅的應用特點,推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅動器,可滿足多樣化需求。

2CP0335V33-LV100是一款適配碳化硅MOSFET模塊的緊湊型雙通道高絕緣等級的驅動器,可應用在高可靠性的大功率中壓領域。

該產品適用于三菱3300V的LV100封裝碳化硅MOSFET模塊搭建的多種拓撲方案,可直接安裝在模塊上使用,無需轉接處理。

典型應用

風電變流器

光伏逆變器

中壓變流器

電機傳動

牽引傳動

產品特點

雙通道碳化硅MOSFET驅動器

設計緊湊,尺寸為68mm*99.5mm

電源電壓輸入寬范圍15V~30V

適配LV100封裝的碳化硅MOSFET模塊

光纖信號輸入/輸出

絕緣電壓高達8000V

集成隔離DC/DC電源

集成副邊電源欠壓保護

集成米勒鉗位

集成碳化硅MOSFET短路保護

原理框圖

efd7d0dc-86ba-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

關鍵參數

供電電源 15V
門極電壓(開通/關斷) +17V,-5V
單通道功率 3W
峰值電流 ±25A
最大頻率 20kHz
工作溫度 -40℃ ~85℃
絕緣耐壓 8000Vac

青銅劍技術在驅動行業有著深厚的技術沉淀,可提供成熟的解決方案。此次介紹的2CP0335V33-LV100產品功能豐富,如您對產品感興趣,歡迎垂詢。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    149

    文章

    8242

    瀏覽量

    218382
  • 驅動器
    +關注

    關注

    54

    文章

    8615

    瀏覽量

    149001
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3010

    瀏覽量

    50044

原文標題:產品速遞 | 青銅劍技術碳化硅MOSFET模塊驅動器2CP0335V33-LV100

文章出處:【微信號:青銅劍技術,微信公眾號:青銅劍技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波(APF)中的革新應用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發表于 05-10 13:38 ?146次閱讀
    國產SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波<b class='flag-5'>器</b>(APF)中的革新應用

    基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器

    關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率,還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換
    的頭像 發表于 05-08 11:08 ?168次閱讀
    基于氮化鎵的<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>高頻諧振柵極<b class='flag-5'>驅動器</b>

    基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊碳化硅SiC-MOSFET
    的頭像 發表于 05-04 09:42 ?148次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    基于國產碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統解決方案

    茜 微信&手機:13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發表于 05-03 10:45 ?139次閱讀
    基于國產<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調系統解決方案

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案

    SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接及功率半導體(SiC碳化硅
    的頭像 發表于 04-21 09:21 ?175次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負壓<b class='flag-5'>驅動</b>供電與米勒鉗位解決方案

    超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

    隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經開始動手用國產SiC
    的頭像 發表于 03-01 08:53 ?423次閱讀
    超結<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本<b class='flag-5'>驅動</b>力分析

    BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

    變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
    的頭像 發表于 02-12 06:41 ?307次閱讀
    BASiC基本股份國產SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>產品線<b class='flag-5'>概述</b>

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650
    發表于 01-22 10:43

    產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發表于 01-04 12:37

    什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?

    《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅動碳化硅
    發表于 01-04 12:30

    青銅劍技術推出全新碳化硅驅動

    近年來,隨著碳化硅技術的不斷成熟,行業對碳化硅功率器件的應用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導通阻抗、極高的開關速率以及高耐溫等優良特性,使其能
    的頭像 發表于 12-12 11:45 ?673次閱讀
    <b class='flag-5'>青銅劍</b><b class='flag-5'>技術</b>推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>驅動</b>核

    青銅劍技術獲智光電氣“質量先鋒獎”

    11月22日,在智光電氣2024年度供應鏈高峰論壇上,青銅劍技術憑借在客戶端的優異表現,喜獲智光電氣頒發的“質量先鋒獎”。 ? 青銅劍技術的高性能IGBT
    的頭像 發表于 11-23 14:46 ?513次閱讀

    碳化硅柵極驅動器的選擇標準

    利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業驅動器和泵等高功率應用時,系統工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因為與 IGBT 相比,SiC
    的頭像 發表于 08-20 16:19 ?765次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>柵極<b class='flag-5'>驅動器</b>的選擇標準

    基本半導體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展

    產品,吸引逾50萬專業觀眾參與。 基本半導體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅
    的頭像 發表于 06-15 09:20 ?1116次閱讀
    基本半導體攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展