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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1951 0
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫),薩科微slkor銷售工程師孫高...
MOS管構(gòu)成的二極管等效于一個(gè)低阻器件,作為共源級(jí)的負(fù)載,代替了電阻實(shí)現(xiàn)小信號(hào)的放大,但是,電路的增益受到了限制。總的來(lái)說(shuō),利用電阻或者M(jìn)OS管構(gòu)成的有...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的設(shè)置探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及...
2022-06-13 標(biāo)簽:MOSFET富昌電子驅(qū)動(dòng)電壓 1945 0
Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器 將取代高損耗的肖特基整流器
為滿足業(yè)界對(duì)于提高功率密度與提高效率的廣泛需求,Diodes 公司推出 ZXGD3113 同步整流控制器。搭配 MOSFET 時(shí),其配對(duì)組合可在基于反馳...
本應(yīng)用筆記介紹了一種檢測(cè)串行器/解串器(SerDes)應(yīng)用中串行鏈路線路故障(例如線路短路)的簡(jiǎn)便方法。本文所述的方法使用串行器的內(nèi)置監(jiān)控電路、外部n溝...
汽車日漸走向智能化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),加上5G商用在即,這些將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),...
300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表系列第 5 部分——開關(guān)參數(shù)
最后,我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的看懂MOSFET數(shù)據(jù)表博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中,我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的...
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 目前,現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。 ...
2010-01-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1933 0
MOSFET和IGBT在戶用光伏儲(chǔ)能上的應(yīng)用有哪些
戶用儲(chǔ)能,也被稱為家庭儲(chǔ)能,是一種將分布式光伏與家庭儲(chǔ)能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來(lái)的衛(wèi)星系統(tǒng),也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。
2021-06-09 標(biāo)簽:MOSFETmicrochipDC-DC轉(zhuǎn)換器 1930 0
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MO...
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件,RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC,達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平
Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK...
高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,讓電機(jī)控制更高效
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體的高科技企業(yè),“Slkor”品牌被廣大同行和客戶接受,是國(guó)內(nèi)快速穩(wěn)健發(fā)展的半導(dǎo)體企業(yè)之一...
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1926 0
作者:Masoud Beheshti ? 電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了...
意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管,具備更好的節(jié)能降噪特性
2022 年 6 月 23 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)...
2022-06-24 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體40V 1922 0
貞光科技代理品牌—MCC 美微科\二極管\整流器\MOSFET
各位“貞”朋友好,今日推薦貞光科技代理品牌,優(yōu)秀原廠—美微科(MCC),貞光科技主要代理美微科(MCC)的二極管、MOSFETs、晶體管、電壓調(diào)節(jié)器、靜...
MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種非常重要的電子器件,廣泛...
2023-11-29 標(biāo)簽:MOSFET控制電路電平轉(zhuǎn)換器 1919 0
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