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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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8.2.6 功率MOSFET 的實施:DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.6功率MOSFET的實施:DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技...
2022-02-28 標簽:MOSFET 1917 0
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
buck電路和boost電路是靠什么維持直流輸出的穩定的?? Buck電路和Boost電路是兩種常見的直流電源電路,它們分別能夠把輸入電壓穩定地轉換成較...
如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩健性的影響
為什么需要關注 SiC MOSFET 柵極?盡管具有傳統的 SiO 2柵極氧化物,但該氧化物的性能比傳統 Si 基半導體中的經典 Si-SiO 2界面更...
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。源極底置是...
集微網消息,1月8日,華潤微發布投資活動表。華潤微在接受投資者調研時稱,目前公司在手訂單飽滿,產能滿載,汽車電子是未來重點發力的方向。 產能利用率方面,...
采用ST F7 LV MOSFET技術的單片肖特基二極管:提高應用性能
摘要 –當一個功率MOSFET管被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流管時,體漏二極管的特性以及品質因數將變得非常重要。當需要Qrr 數值很低的軟反向恢...
與第四章一樣,本章的熱設計實驗是利用熱模擬軟件進行的。這些模擬使用了MOSFET 模型,這些模型已經根據經驗數據進行了驗證,并且已知能夠精確地模擬真實器...
電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影,對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 碳化硅功...
全球8吋晶圓代工產能供不應求,12吋產能利用率也跟著揚升,訂單能見度已至第3季,不僅8吋代工價已在2020年第3季底起漲勢凌厲,12吋代工價也跟著漲聲響...
盡管光耦合器可易于實現極高的5 kVrms或更高的隔離,但它們體積大且易老化。在沒有光的情況下實現跨越隔離柵的通信,同時仍保留所需的隔離水平,這是可能的。
臺系MOSFET芯片供應商指出,由于外商仍主導MOSFET芯片價格走勢,臺系IC設計公司寧可先搶市占率,不敢輕易跟漲芯片報價,包括英飛凌(Infineo...
ADI宣布推出 Power by Linear?的LTM4662
Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出 Power by Linear?的LTM4662,該器件是一款采用 BGA 封裝的雙通道 ...
賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VS...
Vishay Siliconix SQJ264EP提高DC/DC開關模式電源效率需求
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264...
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