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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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雙脈沖是分析功率開關器件動態(tài)特性的基礎實驗方法,貫穿器件的研發(fā),應用和驅(qū)動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,...
尚陽通科技生產(chǎn)的超級結MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術水平
相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對驅(qū)動和EMI的適應性要求。F系列以其最優(yōu)的開關速度,極低的柵極電...
逆變器是一種將直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成,廣泛...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設計與實現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關電源設計方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強...
采用2SD315AI-33模塊實現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動保護電路的設計
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管...
巧用Rigol_dl3021可編程電子負載設備拆解fpga控制器
想必大家對EEVBlog已經(jīng)不陌生了,有著豐富電子開發(fā)經(jīng)驗的工程師Dave Jones在該網(wǎng)站上發(fā)布各種電子設備的拆解視頻,并對設計的一些優(yōu)點和缺點給出...
mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達到...
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設備,由于光伏組件或電化學儲能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸,因此并網(wǎng)前必須將直...
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
不同的損耗導致頂側和底側MOSFET的加熱不同。在系統(tǒng)設計中使用分立MOSFET時,可以嘗試這些不同的方法來平衡頂側和底側FET之間的溫度。
2018-03-02 標簽:MOSFET電源管理CSD88584Q5DC 1.3萬 0
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