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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路
上一期介紹了共源級(jí)放大電路的工作原理,本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路。
開關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開關(guān)的類型
開關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找?jiàn)慣,其種類繁多,無(wú)處不在。開關(guān)有無(wú)數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒(méi)有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無(wú)法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 2573 0
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2570 0
JW5116杰華特完全兼容芯洲D(zhuǎn)CDC SCT2330 SCT2433STE 方案
JW5116杰華特完全兼容芯洲SCT2330同功能替代JW5116杰華特完全兼容芯洲SCT2433STE同功能替代產(chǎn)品描述JW5116F是電流模式單片式...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管p溝道 2567 0
在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí),您可能想知道打開 MOSFET 的正確方法是什么?或者簡(jiǎn)單地說(shuō),應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開?
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
高速M(fèi)OSFET中誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制詳解
過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性 某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。 什么是誤...
盡管電流折返和鎖存在短路事件期間都提供了額外的保護(hù)級(jí)別,但 LTC3857 / LTC3858 基本上受到其電流模式架構(gòu)的保護(hù)。電流比較器始終處于活動(dòng)狀...
2023-01-29 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2550 0
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對(duì)降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密...
SoC系統(tǒng)開發(fā)人員:FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么?
大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...
可編程直流電源是一種通過(guò)軟件接口控制輸出電壓和電流的電子設(shè)備。它采用先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和軟開關(guān)器件技術(shù),能夠接收來(lái)自外部的、以數(shù)字形式提供的指令,并按照...
如何在使用SiC MOSFET時(shí)最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對(duì)電源設(shè)計(jì)人員極具吸引力,這些設(shè)計(jì)人員不斷尋找提高效率和功率密...
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