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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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請問怎么去測隔離芯片的關(guān)鍵指標(biāo)CMTI呢?
CMTI:Common mode transient immunity(共模瞬變抗擾度)是指對施加在隔離電路間的高速瞬變共模電壓的上升/下降容許速率dV...
2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動 3616 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
電路設(shè)計指南:用于反向電壓極性保護(hù)的PMOS MOSFET
如果電路的電源接反,例如將正極線接到地,負(fù)極線接到電路的Vcc。可能會發(fā)生兩件壞事,要么我們設(shè)計的電路連同其中所有昂貴的組件一起被燒毀,要么電源本身被毀...
此外,Q 3 在此期間消除250V電源的操作。此功能非常重要,因?yàn)殡娐繁仨殞㈤W光燈管的陽極電流降至較低水平,使電子管復(fù)位并等待下一個周期。
2019-08-13 標(biāo)簽:MOSFETPCB打樣華強(qiáng)PCB 3599 0
如何使用LM358和MOSFET構(gòu)建可編程增益放大器
在本教程中,我將向您展示如何 使用 LM358 運(yùn)算放大器和 MOSFET 構(gòu)建您自己的可編程增益放大器,并在測試的同時討論該電路的一些優(yōu)缺點(diǎn)。
2022-08-15 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器增益放大器 3594 0
開關(guān)穩(wěn)壓器使用占空比來實(shí)現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是導(dǎo)通時間(T上) 到整個周期長度,關(guān)斷時間 (T關(guān)閉)加上導(dǎo)通時間,并定義了輸入電壓和輸出電壓之間...
2022-12-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 3589 0
選擇IC需考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件 以期高能效指標(biāo)
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2020-10-14 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 3586 0
在上一篇文章中,我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響,從而可降低開...
隨著能源的日益緊張,國家高度重視嚴(yán)格能效約束,推動了各行各業(yè)的節(jié)能降碳。另外,隨著電源的能效標(biāo)準(zhǔn)(DoE Level VI和CoC Tier2)的頒布,...
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損...
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。
電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計之高側(cè)與低側(cè)電池保護(hù)
設(shè)計 BMS 時,重要的是要考慮電池保護(hù)斷路器的放置位置。通常,這些電路采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn),因?yàn)榕c P 溝道 MOSFET 相比,它們的...
2024-04-18 標(biāo)簽:MOSFETCAN總線電池管理系統(tǒng) 3553 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個完全不同的限制條件來繪制整個SOA,每個限制條件規(guī)定了整個曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
杰華特JWH5125—高達(dá)65v輸入5a輸出降壓芯片方案
本公司代理南麟,瑞盟,杰華特,智浦欣,鈺泰等公司產(chǎn)品,有需要請聯(lián)系。潘17633824194JWH5125是一種電流模式單片降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器。使用輸入范圍...
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFETldo降壓轉(zhuǎn)換器 3540 0
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