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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。具有節能、安裝方便、維護方便、...
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱 FET)是一種三端半導體器件，其特點是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
半導體制造商羅姆研發出VCSEL模組,實現空間識別和ToF測距系統的高精度化
據麥姆斯咨詢報道，半導體制造商羅姆（ROHM）研發出全新VCSEL模組，通過提升VCSEL光源的輸出功率，實現了空間識別和ToF測距系統的高精度化。
新日本無線新開發的超寬帶SPDT射頻開關NJG1801BKGC-A符合AEC－Q100 Grade1、VDA等車載規格。
MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是 一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件，可 以 廣 泛 應 用 在 模 擬 電 路 和 數 ...
繼上一篇“兩相雙極步進電機的驅動”之后，本文將從兩相單極步進電機的驅動電路，兩相單極步進電機的兩相勵磁PWM驅動波形兩個方面來介紹“兩相單極步進電機的驅...
當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。
汽車 OEM 正在遷移到 BLDC，以最大限度地提高效率和可靠性。本文著眼于工程師在設計過程中應考慮的重要參數，以實現這些目標。
MOSFET場效應管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡單，易于調試，性能可靠，逆變和充電自動轉換，帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管，故效率高而成本又較低，適合電子愛好者組裝。
變壓器因繞組層數較多，會產生分布電容，在高頻狀態下工作時，這些分布電容對變壓器工作狀態產生很大的影響，如EMC變差、變壓器發熱等。所以盡必需要了解這些分布電容。
開關電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外電路簡單、器件個數少。
晶體管是一種半導體器件，廣泛應用于電子設備中，作為電子開關或放大器使用。根據其結構和工作原理的不同，晶體管可以分為多種類型。以下主要介紹雙極型晶體管（B...
電子發燒友網報道(文/李寧遠)大至功率變換器，小至內存、CPU等各類電子設備核心元件，哪里都少不了MOSFET的應用。MOSFET作為一種半導體器件，既...
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...
負載通常表現為變壓器形式，其低壓初級線圈與MOSFET橋連接以實現預期的DC到AC反相。
兩種最常見的商業存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩定，但速度不是特別快...
電源管理芯片（PMIC）是在單片芯片內包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路，主要功用為在存在多個電源的情況下，選取、分配電力給主系統各部分使用。
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術，驅動器的類型，隔離技術以及MOSFET / IGB...
P溝道與N溝道MOSFET作為半導體器件中的關鍵元件，在電子電路設計中扮演著重要角色。它們各自具有獨特的工作原理、結構特點以及應用場景。
在電子工程領域中，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應用于各種電子設備中。然而，MOSFET在開關過程中可能...
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