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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在車載鏡頭領域,舜宇光學(02382.HK)龍頭地位穩固,其車載鏡頭出貨量已連續9年穩居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
梯形控制是無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機最簡單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機相位與BLDC電機的梯形反電動勢波形對齊,以獲得最佳轉矩。BL...
SiC MOSFET相對于Si MOSFET和IGBT的優勢
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅動器 ( BM6112 ) 非常適合應對驅動 SiC MOSFET 的獨特挑戰。它可以驅動高達 20A 的大...
在提高 SiC 功率器件性能方面發揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現出更好的性能;為了獲得更...
場效應管與三極管比較類似,都是三端元器件,但是三極管是一種流控型的半導體器件,而場效應管是一種壓控型的半導體器件
一.晶體管包括雙極結型晶體管(BJT)、場效應管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結型晶體管,其按PN結結構分為NPN型和...
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗...
在功率器件半導體領域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時間發展,硅材料在功率器件領域已經達到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優越特性開始大放異彩
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