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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合...
在 PCT 期間,當 DUT 開啟時,由于電流從漏極流向源極,DUT 溫度會升高(圖 1a)。當 DUT 關閉時,通過從源極到漏極的感測電流測量體二極管...
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
如果電路的電源接反,例如將正極線接到地,負極線接到電路的Vcc。可能會發生兩件壞事,要么我們設計的電路連同其中所有昂貴的組件一起被燒毀,要么電源本身被毀...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發揮著重要作用。愛迪生發明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產力、生活質量和安全性;通過高效電機實現的制冷,...
非隔離電源ic U6110是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型和升降壓型電路。
MOSFET和三極管,在ON 狀態時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產生什么樣的電流和電壓。
MOSFET最早出現在大概上世紀60年代,首先出現在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
場效應管MOSFET 通常被認為是一種晶體管,并用于模擬和數字電路。MOS管基礎請移步:MOS場效應管基本知識。
二維層狀半導體材料得益于原子級薄的厚度,其受到靜電場屏蔽效應大大減弱,利用門電壓可以對其電學性能進行有效調控。利用二維層狀半導體材料構建的多端憶阻晶體管...
器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內置各種定制電路配置。
大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
雙極結和場效應晶體管(BJT和FET)及PN結二極管等知識詳解
晶體管”是指可以實施開關和擴展的半導體器材。它可以用作開關或擴展器的電子設備稱為有源組件。電開關和擴展并不是從1948年晶體管的發明開始的。但是,本發明...
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS(on) 使其對電源設計人員極具吸引力,這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...
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