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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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負載串聯型開關相比于上節講到的接地型和跟隨型開關，使用更加廣泛，無論是輕負載還是重負載，電路幾乎沒有額外電流損耗。
對于Class-D功放電路的電子元器件使用，在MOS管領域會有哪一款產品比較適合應用于該場景呢？是否有比較好的代換型號？
MOS管驅動電阻的測試方法主要涉及到對驅動電路中電阻值的測量，以確保其符合設計要求，從而保障MOS管的正常工作。簡單介紹幾種常見的測試方法，并給出相應的...
由于電遷移效應，金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導線電阻，這會導致電壓下降，從而導致設備降速。由于短路或開路，它還可能導致電路永久性故障。
MOSFET工作在飽和區時，具有信號放大功能，柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導保持一定的約束關系，柵極的電壓和漏極的電流的關系就是MOSFET的傳輸特性。
當MOS管驅動能力不足時，我們會使用推挽電路來放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？
推挽式開關電源MOS管的耐壓值并不是一個固定的數值，而是需要根據具體的工作電壓和設計要求來確定。一般來說，推挽式開關電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...
MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經常是成對出現，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...
典型的襯底是p型硅或絕緣體上硅（SOI)，其直徑為 200mm 或300mm；在多層銅互連中，最上面兩層金屬較厚（常被用于制造電感或電容)，頂層的鋁層用...
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗...
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
短溝器件的特性與前一節分析的電阻工作區和飽和區的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應。 載流子的速度正比于電場，遷移率是一個常數，當溝道電場達到某一臨界...
在硬件設計中，關于電路保護的部分是保證系統可靠性的重要一環，電路保護的設計具體也包括很多方面，比如：防反設計，過流保護，過壓保護，欠壓保護，過熱保護等，...
讓我們來看看MOS管，分辨一下他們怎么區別，怎么用吧。而且，我們不談原理，只談應用。我們分“電路符號”和“實物”兩部分來看。
氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導體場效應管。它結合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優良特性，具有高速開關速度...
MOSFET是金屬－氧化物－半導體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
隨著集成電路工藝技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...
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