對于Class-D功放電路的電子元器件使用，在MOS管領(lǐng)域會有哪一款產(chǎn)品比較適合應(yīng)用于該場景呢？是否有比較好的代換型號？

對于場效應(yīng)管的代換使用，電子工程師還是需要注意產(chǎn)品的特點來進行考慮的，比如應(yīng)用于功放產(chǎn)品的話，我們一般建議選擇針對功放系統(tǒng)的高效率、低失真度和EMI等特性表現(xiàn)好的MOS管。

現(xiàn)在市場中IRFB31N20D場效應(yīng)管是有常用于Class-D功放電路的，究竟要如何選擇比較好的國產(chǎn)廠商進行替代呢？

具備上述所說的優(yōu)點的國產(chǎn)MOS管，還能替代IRFB31N20D場效應(yīng)管的，我們一般優(yōu)先推薦Class-D功放電路廠家使用FHP35N20W型號。

究竟為何推薦這一款35A、200V電流、電壓MOS管的FHP35N20W國產(chǎn)MOS管替代IRFB31N20D場效應(yīng)管在Class-D功放電路使用呢？

除上述符合的特點外，這一款優(yōu)質(zhì)FHP35N20W國產(chǎn)場效應(yīng)管還具備的產(chǎn)品參數(shù)有：35A、200V的電流、電壓，RDS（on） = 69mΩ（typ） @VGS = 10 V；RDS（on） = 80mΩ（MAX） @VGS = 10 V，最高柵源電壓@VGS =±30 V。

在測試中具有低柵極電荷、低Crss （典型值34pF）、開關(guān)速度快、100%經(jīng)過Rg 測試、100%經(jīng)過雪崩測試、100%經(jīng)過熱阻測試等優(yōu)點。

FHP35N20W ，N溝道增強型場效應(yīng)晶體管，采用平面工藝VDMOS，擁有優(yōu)異的抗沖擊特性前提下優(yōu)化Rdson、Qg、trr等參數(shù)，從而廣泛適配使用在Class-D功放電路上，如汽車功放、DSP功放上。對標其它場效應(yīng)管品牌型號：IRFB31N20D。

FHP35N20W的封裝形式分別是TO-220封裝形式。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：35A；BVdss（V）：200V。

綜合以上的產(chǎn)品參數(shù)，功放的場效應(yīng)管代換建議用飛虹國產(chǎn)型號：FHP35N20W型號參數(shù)來替代IRFB31N20D型號。

200V、35A 的MOS管代換使用，選對型號很重要。飛虹半導(dǎo)體的MOS管已經(jīng)廣泛應(yīng)用于功放行業(yè)、智能家居、新能源電子、電動車、汽車電子、LED照明、家電、鋰電保護、驅(qū)動電機等領(lǐng)域，為國內(nèi)的電子產(chǎn)品廠家提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品以及配套服務(wù)。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。