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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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我們就從常見的開關說起，這邊給他接一個電源，右邊接一個負載，然后不停的開關這個開關，那么這個負載上的電壓波形就是這么一個pwm波。那這個電路看上去很簡單...
電路設計時，不同的子系統之間無可避免的需要數字信號傳遞，不同的系統之間或者設備之間，數字接口電平經常不一致，故需要用到電平轉換電路；
元器件深入開發指南 | 阻容、電感、二極管與MOS管（文末領資料）
成長計劃 元器件深入開發指南 工程師成長計劃第十八期， 硬聲UP主：硬件工程師煉成之路 ，從工程師實戰的角度，深入電阻、電容、電感、二極管與MOS管的特...
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛使用的半導體器件，它在電子電路中扮演著開關和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成：源極（S...
使用二級管,導通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向導通時，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過電流時幾乎不產生壓降。
電阻的特點是阻擋電能，電阻的關鍵參數有尺寸、阻值、精度和功率。電阻的應用場景非常多，都是圍繞著電阻的特性來使用的。
電阻元件的電阻值大小一般與溫度，材料，長度，還有橫截面積有關，衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數，其定義為溫度每升高1℃時電阻值發生變化的百分數。
實施半導體分立器件特性參數分析的最佳工具之—是數字源表(SMU)。數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高...
MOS（金屬-氧化物-半導體）管的寄生參數是指在集成電路設計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及...
逆變器的控制方法有：PID控制、滯環控制、無差拍控制、重復控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優缺點。
一個MOSFET管的動態響應只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負載引起的額外電容所需要的時間。 本征電容的主要來源有三個：基本的MO...
按下K，電源通過4007為整個系統供電，AVR開始工作。此時PB1為高電平。注意，電源來源是連接器旁邊的+5V。
友恩充電器芯片U6101選型參考5V-12A~1A、12V-5A~1A，外推MOS，可兼容多種啟動供電模式。
在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。
寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導通，反接截止，對于NMOS，當S極接正，D極接負，寄生二極管會導通，反之截止；對于PMOS管，當D極接正，S極接負，...
三極管和MOS管都是很常用的電子元器件，兩者都可以作為電子開關管使用，而且很多場合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開關管時，有很多相似之處，...
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