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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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Path1容易出現hold問題,path2容易出現setup問題;如果在path1和path2的commen part修timing就會導致另外一個pa...
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻,從而實現對電流的控制。當柵極電壓達到一定閾值時,通道電阻迅速減小,形成導電通道,使得...
HT7179 12V升24V內置MOS大電流升壓IC解決方案
HT7179是一款高功率非同步升壓轉換器,集成 20mΩ功率開關管,為便攜式系統提供高效的小尺寸解決方案。HT7179具有2.7V至25V寬輸入電壓范圍...
一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例,盡量詳細講解下一顆芯片的內部設計原理和結構,IC 行業的同學隨便看看就好,歡迎指教!
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的泄漏電流是指在MOS管關斷狀態下,從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對電路的性能和穩定...
在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的,對各階段做了定量分析,相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
VDS(Drain-source voltage):漏源電壓標稱值,反應的是漏源極能承受的最大的電壓值;
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