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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路、靜電防護等幾個方面用工程師的話簡單描述。
MOS管，全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一...
電位電阻傳感器的工作原理，在開關電路中，電阻有何作用？該如何為電阻選型
由于測量領域的不同，電位器結構及材料選擇有所不同。但是其基本結構是相近的。電位器通常都是由骨架、電阻元件及活動電刷組成。常用的線繞式電位器的電阻元件由...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應...
電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機器人、電動汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個越來越重要的關鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強。
MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個至關重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的導通與截止狀態(tài)，對MOS...
摘要：前兩天同學做了一個電路，功能就是用MOS管來控制一個電源的開關,但是做出來后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開關，MOS管一直處于導通狀態(tài)。一起來看看到底...
目前充電寶新國標開始實施發(fā)證、全球旅游市場復蘇、iPhone切換USB-C口等熱點頻頻，再加上電芯能量密度、放電倍率也獲得突破，充電寶芯片集成度再創(chuàng)新高
實戰(zhàn)講解：為什么MOS管要并聯(lián)個二極管？
▼關注公眾號：工程師看海▼ 原文來自原創(chuàng)書籍《硬件設計指南 從器件認知到手機基帶設計》： 根據(jù)導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。圖...
用H橋來驅(qū)動直流電機是很常見的應用，常見的方式有三種，三極管驅(qū)動、MOS管驅(qū)動、集成電路驅(qū)動。那么對于這三種方式驅(qū)動直流電機我們大概都知道存在各自的優(yōu)缺...
上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次...
本篇博文分享在實際工作中經(jīng)常使用的一種典型的三極管和MOS管結合的開關控制電路，關于三極管和MOS管的基礎使用方法可以參見下文說明。
當LV連接器的TXI-1為3V3高電平信號(LV排針接3V3，HV排針接5V)時，Q1 mos管的柵極和源極之間的壓降為0V(TXI-1與LV排針之間的...
作為工作于開關狀態(tài)的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大； 干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相...
芯片的集成度雖然越來越高，但是整個電路功能的實現(xiàn)，還是離不開分離器件的搭配，本文就針對筆者在實際工作中的關于 MOS 管（三極管）的應用做一些整理。
使用三極管做開關使用，要么飽和導通，要么截止，我們期望飽和導通時集電極電流不能超過最大值限制，這個很容易達到，因為現(xiàn)在的三極管飽和電流都能承受幾百mA，...
對于硬件開發(fā)，往往有上手比較棘手的兩個地方，一個是MOS驅(qū)動，另一個是運放設計。
對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效...
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