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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管驅(qū)動電路原理與電路布線設(shè)計(jì)
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。
一文詳解MOS管驅(qū)動電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)
功率MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高。
2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 5270 0
鋰電池在生活中越來越多的方面扮演能源的角色，除了大家熟知的電動汽車行業(yè)，在一些消費(fèi)類，工業(yè)類電子產(chǎn)品比如手機(jī)，電動自行車，電動工具中都有應(yīng)用，追本溯源今...
MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動電阻參數(shù)計(jì)算
在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。
MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
在各類電路圖中，我們經(jīng)常可以看到MOSFET在作開關(guān)時，其漏極和源極之間有一個寄生二極管，如圖1所示。那么這個二極管是用來做什么的？
一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器
本文將D類功率放大器與E-1類功率放大器結(jié)合，提出一種新型串聯(lián)電感并聯(lián)調(diào)諧DE-1類功率放大器。首先利用ZCS和ZCSS條件[10]對該功率放大器的工作...
2018-09-07 標(biāo)簽：功率放大器MOS管串聯(lián)電感 5194 0
學(xué)習(xí)razavi的書籍以及視頻，給人感覺，就是每一個電路都不是平白無故來的，其產(chǎn)生都是因?yàn)橛行枨蟆?/p>
在正電源輸入端串聯(lián)一個正向二極管，充分利用二極管正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶匦浴ＵＧ闆r下，二級管導(dǎo)通，電路板工作。
開關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開關(guān)管是一種電子器件，用于控制電流的開關(guān)。在電子電路中，開關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。 一、開關(guān)管的基本概念 1.1 定義...
渥爾曼電路的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)總結(jié)
共基極電路正常工作的電流變化是由于集電極電阻上電壓降不同而人造成的，而集電極上電壓降卻絕育集電極電流的變化，而集電極電流的變化取決于基極輸入電流的變化。
如何用運(yùn)算放大器構(gòu)建一個簡單的過流保護(hù)電路
過流保護(hù)電路種類繁多，電路的復(fù)雜性取決于保護(hù)電路在過流情況下的反應(yīng)速度。下面這個電路使用很常見的運(yùn)算放大器構(gòu)建一個簡單的過流保護(hù)電路。
2023-07-12 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管比較器 5173 0
MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能和開關(guān)條件
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S,黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過來接無數(shù)值，說明是N溝道，若情況相反是P溝道。
本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術(shù)和運(yùn)用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的方法，并且運(yùn)用這種技術(shù)設(shè)計(jì)低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導(dǎo)運(yùn)算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。
2014-04-30 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管差分放大器 5154 1
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電路上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
MOS管驅(qū)動電阻的大小對其工作性能有著顯著的影響，這些影響涉及開關(guān)速度、開關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個電路的性能表現(xiàn)。以下是對MOS管驅(qū)動電阻大小影響...
在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形
結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。
搭建H橋驅(qū)動電路一般都包括兩個部分：半橋/全橋驅(qū)動芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動所能通過的電流幾乎由MOS管的導(dǎo)通漏極電流所決定。
2023-01-12 標(biāo)簽：MOS管電機(jī)驅(qū)動驅(qū)動芯片 5110 0
門電路的輸入端懸空，有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時導(dǎo)通，存在短路電流，如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來的漏電流就越大.
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