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標(biāo)簽 > MOS
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
無刷驅(qū)動設(shè)計——淺談MOS驅(qū)動電路
前言上周末,在調(diào)試無刷電機(jī)驅(qū)動的時候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒了,實(shí)在沒辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識,以下是筆者學(xué)習(xí)筆記,僅...
源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個淺的...
為了有效抑制短溝道效應(yīng),提高柵控能力,隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低,就需要相對應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容的一個辦法是通過降低柵氧化層的厚度來達(dá)到這一目...
隨著科技不斷進(jìn)步,越來越多電子產(chǎn)品的電池大部分是鋰電池,鋰電池具有壽命長,能量密度高,體重小,體積小等優(yōu)點(diǎn)受到人們青睞,鋰電池主要組成部分為電芯+BMS...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 ...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動器,帶輸入接地數(shù)據(jù)手冊
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一...
靜音省電新標(biāo)桿!仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
在智能家居普及的今天,消費(fèi)者對家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能,面臨的問題如下能效焦慮:傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高,三級能效產(chǎn)品年耗電超50度,電費(fèi)成本激增...
ANT6812 80W輸出,內(nèi)置MOS,高效率DC升壓轉(zhuǎn)換器中文手冊立即下載
類別:IC中文資料 2025-05-26 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器DCMOS
類別:電子資料 2025-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOSMOSFET功率器件
XBM2138QFA鋰離子/聚合物2芯集成MOS保護(hù)器英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-10 標(biāo)簽:集成電路鋰離子聚合物
類別:電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管
類別:電子資料 2025-01-06 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS
Toshiba東芝TPN11003NL MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-13 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
微源半導(dǎo)體推出5V/1A高效同步降壓芯片LP3201H
LP3201H是一款5V/1A高效同步降壓芯片,內(nèi)置低內(nèi)阻功率MOS,在5V轉(zhuǎn)3.3V/1A 輸出效率90%以上,可實(shí)現(xiàn)100%占空比輸出。LP3201...
新品推薦 | 低壓MOS在鋰電直流割草機(jī)上的應(yīng)用
鋰電直流割草機(jī)是園林工具之一,人類綠化景觀的養(yǎng)護(hù)設(shè)備,主要是以養(yǎng)護(hù)草坪、綠籬、保護(hù)花草、樹木為作業(yè)對象的,代替大部分手工勞動為代表的機(jī)械化工具。同時具有...
Hi8101-內(nèi)置MOS,最高轉(zhuǎn)換效率>95%
Hi8101的核心優(yōu)勢在于其內(nèi)置的MOSFET結(jié)構(gòu),這種設(shè)計顯著降低了系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。傳統(tǒng)的外置MOS方案需要額外的驅(qū)動電路和布局空間,而Hi...
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性...
功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化先鋒:長晶科技的創(chuàng)新與崛起
近年來,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國政策支持的背景下,國產(chǎn)化替代已成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對國際技術(shù)壁壘與市場競爭的雙重挑戰(zhàn),中國企業(yè)正通...
2025-04-09 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 381 0
國產(chǎn)化人形機(jī)器人原地側(cè)空翻,其中涉及到哪些MOS?
行業(yè)背景 前幾天宇樹G1機(jī)器人實(shí)現(xiàn)了側(cè)空翻動作并保持了平衡,這種側(cè)空翻需要克服旋轉(zhuǎn)帶來的非對稱角動量分布問題,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示騰空階段角加速度峰值達(dá)180 ...
從 2.4V 輸入到 12V 輸出,F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢 “圈粉”?
在電子設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、可靠性及用戶體驗(yàn)。隨著便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子及工業(yè)應(yīng)用對功率密度和能效要求的不斷提升,升壓(B...
MOS管的功耗計算與散熱設(shè)計是確保其穩(wěn)定工作和延長使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對MOS管功耗計算與散熱設(shè)計要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS管的功耗計算 MOS...
吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動力
吸塵器動力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無線吸塵器滲透率超60%的今天,電機(jī)驅(qū)動MOS過熱降速卻成為用戶體驗(yàn)的致命傷——行業(yè)測試數(shù)據(jù)顯示,80%的高端吸塵器在連續(xù)...
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