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標(biāo)簽 > MOCVD
MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。
MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡(jiǎn)介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。縮寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。
MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡(jiǎn)介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。縮寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。
系統(tǒng)概況編輯組成因?yàn)镸OCVD生長(zhǎng)使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長(zhǎng)多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的。 一般由 源供給系統(tǒng) 、氣體輸運(yùn)和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)、自動(dòng)操作及電控系統(tǒng)。【源供給系統(tǒng)】包括Ⅲ族金屬有機(jī)化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機(jī)化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運(yùn)到反應(yīng)室。為了保證金屬有機(jī)化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒溫器中，溫度控制精度可達(dá)0.2℃以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時(shí)再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運(yùn)到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機(jī)化合物，另一類是氫化物，其輸運(yùn)方法分別與金屬有機(jī)化合物源和氫化物源的輸運(yùn)相同。【氣體輸運(yùn)系統(tǒng)】氣體的輸運(yùn)管都是不銹鋼管道。為了防止存儲(chǔ)效應(yīng)，管內(nèi)進(jìn)行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進(jìn)行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測(cè)，保證反應(yīng)系統(tǒng)無(wú)泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時(shí)間快、精度高的質(zhì)量流量計(jì)和電磁閥、氣動(dòng)閥等來(lái)實(shí)現(xiàn)。在真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過(guò)濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent，，管道。【反應(yīng)室和加熱系統(tǒng)】反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長(zhǎng)組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上下了很大功夫，設(shè)計(jì)出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來(lái)控制溫度，一般溫度控制精度可達(dá)到0.2℃或更低。【尾氣處理系統(tǒng)】反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進(jìn)行處理，處理方法主要有高溫?zé)峤鉅t再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。【安全保護(hù)及報(bào)警系統(tǒng)】為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時(shí)，通入純N2保護(hù)生長(zhǎng)的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長(zhǎng)期間也有常通高純N2保護(hù)系統(tǒng)。【手動(dòng)和自動(dòng)控制系統(tǒng)】一般MOCVD設(shè)備都具有手動(dòng)和微機(jī)自動(dòng)控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開關(guān)、各個(gè)管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問(wèn)題會(huì)自動(dòng)報(bào)警，是操作者能及時(shí)了解設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的情況。此外，MOCVD設(shè)備一般都設(shè)在具有強(qiáng)排風(fēng)的工作室內(nèi)。優(yōu)點(diǎn)1 適用范圍廣泛，幾乎可以生長(zhǎng)所有化合物及合金半導(dǎo)體;2 非常適合于生長(zhǎng)各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料;3 可以生長(zhǎng)超薄外延層，并能獲得很陡的界面過(guò)渡;4 生長(zhǎng)易于控制;5 可以生長(zhǎng)純度很高的材料;6 外延層大面積均勻性良好;7 可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
國(guó)內(nèi)外發(fā)展編輯中國(guó)MOCVD系統(tǒng)發(fā)展2012年12月12號(hào)，中國(guó)首臺(tái)具有世界先進(jìn)水平的大型國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備發(fā)運(yùn)慶典在張江高新區(qū)核心園舉行。作為L(zhǎng)ED芯片生產(chǎn)過(guò)程中最為關(guān)鍵的設(shè)備，MOCVD的核心技術(shù)長(zhǎng)期被歐美企業(yè)所壟斷，嚴(yán)重制約了中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。中晟光電設(shè)備上海有限公司于2012年1月18日成功實(shí)現(xiàn)了擁有自主創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)的具有世界先進(jìn)水平的大型國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備下線，僅用了10個(gè)月時(shí)間，又完成了工藝的開發(fā)和設(shè)備進(jìn)一步的改進(jìn)優(yōu)化，完成了設(shè)備產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)必備條件與設(shè)施的建立；在此基礎(chǔ)上又完成了4家客戶的多次實(shí)地考察，親臨操作設(shè)備和驗(yàn)證各項(xiàng)工藝。客戶充分肯定了中晟設(shè)備的技術(shù)方向和設(shè)計(jì)上的世界先進(jìn)性，也對(duì)設(shè)備用于大規(guī)模生產(chǎn)提出了進(jìn)一步改進(jìn)的建設(shè)性要求。使該設(shè)備同時(shí)具有目前世界上最高的系統(tǒng)產(chǎn)能、最低的外延生產(chǎn)成本、良好的波長(zhǎng)均勻性、大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的各項(xiàng)關(guān)鍵性能等4項(xiàng)核心的差異競(jìng)爭(zhēng)力。這次我國(guó)首臺(tái)具有世界先進(jìn)水平的大型國(guó)產(chǎn)MOCVD設(shè)備成功發(fā)運(yùn)，不僅標(biāo)志著在實(shí)現(xiàn)中國(guó)大型MOCVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略目標(biāo)的征途上，中晟邁開了具有里程碑意義的一步，而且充分體現(xiàn)了中國(guó)有能力在高端裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式的發(fā)展。國(guó)外MOCVD系統(tǒng)發(fā)展隨著化合物半導(dǎo)體器件（如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍(lán)光LED）市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長(zhǎng)。國(guó)際上實(shí)力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有：德國(guó)Aixtron公司、美國(guó)的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼并）、英國(guó)的Thomass~（1999年被Aixtron兼并）等。因?yàn)镸OCVD系統(tǒng)最關(guān)鍵的問(wèn)題就是保證材料生長(zhǎng)的均勻性和重復(fù)性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。Aixtron采用行星反應(yīng)（Planetary Reactor），Emcore采用TurboDisc反應(yīng)室（該業(yè)務(wù)己出售給Veeco公司）、Thomas Swan（該公司于2003年2月份被Aixtron兼并）采用 Closed Coupled Showerhead（CCS）反應(yīng)室。國(guó)內(nèi)擁有的進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)700臺(tái)左右，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數(shù)，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國(guó)ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來(lái)與碳化硅作比較，雖然沒(méi)有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
固態(tài)升華法（Sublimation） 固態(tài)前驅(qū)體在加熱容器中被加熱至其升華點(diǎn)，從固態(tài)直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)。升華后的前驅(qū)體以氣態(tài)形式通過(guò)載氣輸送到反應(yīng)室即可...
2023-11-20 標(biāo)簽：監(jiān)測(cè)器MOCVD紅外光 2020 0
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽(yáng)能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...
2023-08-04 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池探測(cè)器MOCVD 2229 0
半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...
通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
什么是Micro-LED？Micro-LED的顯示原理是什么？
Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED
2023-02-06 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)電路MOCVD 4.7萬(wàn) 0
BluGlass通過(guò)RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長(zhǎng)雜質(zhì)
澳大利亞的BluGlass公司聲稱使用他們的低溫遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）技術(shù)可以產(chǎn)生理想純度的氮化鎵（GaN）。該公司說(shuō)，他們的RPCVD...
天龍光電首臺(tái)MOCVD設(shè)備的交貨進(jìn)展一直備受業(yè)內(nèi)關(guān)注。公司將在這個(gè)月底發(fā)貨給客戶，并將于下個(gè)月在用戶端開始設(shè)備安裝、調(diào)試。
LED中低階晶粒產(chǎn)能過(guò)剩 明年仍將無(wú)法緩解
隨著LED照明市場(chǎng)的起飛，加上中國(guó)政府大力推行節(jié)能補(bǔ)助，帶動(dòng)陸廠大舉擴(kuò)增LED上游晶粒產(chǎn)能，自2011年起陸廠約新增420臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái)，總機(jī)數(shù)達(dá)72...
2012-07-04 標(biāo)簽：LED照明LED產(chǎn)業(yè)MOCVD 903 0
MOCVD太陽(yáng)電池的測(cè)試與數(shù)據(jù)處理及其結(jié)特性參數(shù)介紹立即下載
類別：電源技術(shù) 2017-09-22 標(biāo)簽：太陽(yáng)電池mocvd
MOCVD片式紅外輻射系統(tǒng)調(diào)節(jié)曲線的仿真與分析立即下載
類別：射頻無(wú)線論文 2012-01-10 標(biāo)簽：MOCVD紅外輻射
基于PLC的MOCVD控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)立即下載
類別：PLC技術(shù)論文 2010-07-20 標(biāo)簽：PLCMOCVD
中微公司受邀出席第十八屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議
近日，第十八屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議于湖北恩施成功落下帷幕。中微公司MOCVD技術(shù)團(tuán)隊(duì)受邀出席了此次盛會(huì)并在《材料生長(zhǎng)、表征與裝備》技術(shù)論壇發(fā)表主題演講...
中微公司持續(xù)發(fā)力半導(dǎo)體設(shè)備，5-10年內(nèi)目標(biāo)占據(jù)50%-60%集成電路市場(chǎng)
其中，刻蝕設(shè)備銷售額約47.03億元，同比增長(zhǎng)49.43%；而MOCVD設(shè)備銷售額則約4.62億元，同比下滑33.95%。自2012年以來(lái)，中微公司的年...
2024-05-23 標(biāo)簽：MOCVD刻蝕設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 830 0
中國(guó)上海，2024年2月4日—— 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“本公司”）注意到，2024年1月31日（美國(guó)時(shí)間，下同）美國(guó)國(guó)防部根據(jù)《...
半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN
蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使...
Micro LED業(yè)務(wù)增長(zhǎng)顯著，IQE去年?duì)I收超10億
近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)儲(chǔ)備及規(guī)模化生產(chǎn)的能力，可滿足制備微米級(jí)高亮Micro LED的需求。
華光光電兩項(xiàng)新產(chǎn)品被認(rèn)定為國(guó)際領(lǐng)先和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平
近日，山東華光光電子股份有限公司發(fā)布2款新產(chǎn)品，經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)組織專家進(jìn)行鑒定，被評(píng)價(jià)為國(guó)際領(lǐng)先和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，進(jìn)一步完善了公司的產(chǎn)品種類布局，拓展了新...
中微公司喜迎全球第500臺(tái)MOCVD設(shè)備付運(yùn)里程碑
上海2022年10月25日 /美通社/ -- 10月25日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱"中微公司"，上交所股票代碼...
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
在LED顯示屏領(lǐng)域，企業(yè)想要獲得盈利就要保持20%以上的毛利潤(rùn)。行業(yè)利潤(rùn)走低，降低LED的使用成本成為了企業(yè)獲利的重要方式。 LED器件的制造成本相對(duì)硅...
中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長(zhǎng)57.31%
? ? ? 中微公司2022年 第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，摘要如下：...
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