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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3072個 瀏覽：254579次 帖子：483個

      igbt資訊

      什么是死區(qū)？ DSP里的PWM死區(qū)

      死區(qū)時間是PWM輸出時，為了使H橋或半H橋的上下管不會因為開關(guān)速度問題發(fā)生同時導(dǎo)通而設(shè)置的一個保護(hù)時段，所以在這個時間，上下管都不會有輸出，當(dāng)然會使波形...

      2020-06-08 標(biāo)簽：PWMIGBT 8264 0

      什么是IGBT？國內(nèi)IGBT企業(yè)崛起

      什么是IGBT？國內(nèi)IGBT企業(yè)崛起

      簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動...

      2020-06-05 標(biāo)簽：整流器IGBT 2.0萬 0

      變頻驅(qū)動器VFD/ IGBT逆變器的過壓保護(hù)6KV

      變頻驅(qū)動器VFD/ IGBT逆變器的過壓保護(hù)6KV

      在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動器（VFD）/逆變器通常安裝在電動機的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓（110、22...

      2020-05-13 標(biāo)簽：逆變器IGBTVFD 1587 0

      用于IGBT浪涌保護(hù)的高壓TVS二極管P6SMB600CA

      用于IGBT浪涌保護(hù)的高壓TVS二極管P6SMB600CA

      絕緣柵雙極晶體管（IGBT）廣泛用于功率逆變器，工業(yè)驅(qū)動器，電動汽車家用電器的充電器， 電機控制和感應(yīng)加熱，因為它們易于使用且性能高電壓和電流驅(qū)動能力。...

      2020-05-13 標(biāo)簽：二極管IGBT浪涌保護(hù) 4556 0

      華大半導(dǎo)體發(fā)布國內(nèi)首款車規(guī)級隔離型IGBT柵極驅(qū)動芯片

      集成豐富的保護(hù)功能：具備軟關(guān)斷、退飽和檢測（DESAT）、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(hù)（UVLO）、故障反饋輸出（DESAT & UVLO）等多種保護(hù)功能；

      2020-04-29 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動芯片華大半導(dǎo)體 7359 0

      士蘭微發(fā)布2019年年報，IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%

      報告期內(nèi)，公司研發(fā)項目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺、功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù)，MCU/DSP產(chǎn)品平臺、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...

      2020-04-28 標(biāo)簽：IGBT音視頻MEMS傳感器 3924 0

      多芯并聯(lián)封裝IGBT的缺陷以及失效先導(dǎo)的判據(jù)

      多芯并聯(lián)封裝IGBT的缺陷以及失效先導(dǎo)的判據(jù)

      絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是由雙極型三極管（Bipolar Junction T...

      2020-04-20 標(biāo)簽：芯片IGBT 4230 0

      比亞迪IGBT 4.0技術(shù)怎么樣

      還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎？當(dāng)時，比亞迪放言IGBT4.0打破國外芯片壟斷，開創(chuàng)了“中國芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”，...

      2020-04-16 標(biāo)簽：比亞迪IGBT 7401 0

      國內(nèi)IGBT技術(shù)實現(xiàn)供應(yīng)鏈自主，打破國際壟斷局面

      2018年12月，比亞迪全資子公司比亞迪微電子發(fā)布了全新一代車規(guī)級IGBT標(biāo)桿性產(chǎn)品——比亞迪IGBT 4.0。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”，它卻...

      2020-04-15 標(biāo)簽：芯片變頻器igbt 3199 0

      IGBT開關(guān)特性的實例分享

      IGBT開關(guān)特性的實例分享

      IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBTIGBT開關(guān) 4509 0

      IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)

      功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元...

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT功率MOSFET 3200 0

      IGBT模塊的封裝技術(shù)介紹

      IGBT模塊的封裝技術(shù)介紹

      當(dāng)焊接面很大時，因為焊接面的溫度變形系數(shù)不同，所以在溫度變化時，會產(chǎn)生焊接疲勞，直到脫焊。例如，不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBTIGBT模塊 1.1萬 0

      基于BARITT二極管的振蕩機理詳解

      基于BARITT二極管的振蕩機理詳解

      有些情況下，IGBT甚至二極管的拖尾電流也有可能發(fā)生振蕩。芯片的內(nèi)部工藝可能激發(fā)LC振蕩（由半導(dǎo)體芯片和上述描述的雜散部分），這種激發(fā)的原理也被作PET...

      2020-05-02 標(biāo)簽：二極管IGBT 2938 0

      IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對措施

      IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對措施

      在電壓UCE緩慢上升時，柵極電壓處于密勒平臺，這個位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺電壓恒定。

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT振蕩 1.4萬 0

      IGBT短路振蕩的影響因素有哪些

      IGBT短路振蕩的影響因素有哪些

      在形成恒定短路電流后的很短時間內(nèi)發(fā)生振蕩且可以在柵極電壓中觀測到明顯的電壓振蕩。

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBT短路 7368 0

      一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動態(tài)均流方法

      一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動態(tài)均流方法

      動態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高，動態(tài)均流問題對整個系統(tǒng)的影響就越大。

      2020-05-02 標(biāo)簽：IGBTIGBT模塊 1.5萬 0

      IGBT模塊緩沖電路的模型_igbt緩沖電路類型

      IGBT模塊緩沖電路的模型_igbt緩沖電路類型

      盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同，但對于緩沖電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時可以等效為電壓控制的電壓源。

      2020-04-10 標(biāo)簽：IGBTIGBT模塊 9561 0

      PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別

      PT-IGBT與NPT-IGBT的區(qū)別

      IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣，但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型，非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為：臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴展是否穿透...

      2020-04-10 標(biāo)簽：IGBTigbt芯片 1.2萬 0

      IGBT并聯(lián)均流電路及注意事項分析

      IGBT并聯(lián)均流電路及注意事項分析

      通過降額法計算IGBT器件并聯(lián)時工作的總安全電流，使IGBT器件工作在允許承受的電流范圍內(nèi)。

      2020-04-10 標(biāo)簽：并聯(lián)IGBT 9778 0

      了解一下MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！

      了解一下MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！

      MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。

      2020-04-04 標(biāo)簽：二極管MOS管IGBT 4846 0

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        IOT
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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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        +關(guān)注
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        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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