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IGBT模塊的封裝技術(shù)介紹

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2022-09-07 10:06:184436

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2023-12-29 09:45:05597

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2012-06-20 14:36:54

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2021-11-02 07:39:10

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下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)--環(huán)氧灌封技術(shù)取代硅膠

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微電子三級(jí)封裝是什么?新型微電子封裝技術(shù)介紹
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IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管有開(kāi)關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點(diǎn),但也
2018-05-18 13:12:0014868

Littelfuse專(zhuān)為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)的IGBT模塊,有何特點(diǎn)

S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊,額定值高達(dá)1700V和450A. 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開(kāi)關(guān)速度。
2018-09-05 08:44:004843

激光焊錫機(jī)在IGBT模塊封裝焊接中的優(yōu)勢(shì)分析

現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式:一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝IGBT模塊,再通過(guò)硅脂與散熱器配合安裝的方式,它以IGBT模塊為單元進(jìn)行功率等級(jí)的選配,具備通用性強(qiáng)、可拆裝互換、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等特點(diǎn),其降低了對(duì)應(yīng)用開(kāi)發(fā)水平的要求,但存在如下問(wèn)題:
2020-12-02 15:36:063859

主要廠家的IGBT模塊技術(shù)和相關(guān)情況

車(chē)輛運(yùn)行時(shí),特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停,此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降,從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化,對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn);
2021-02-01 13:58:034411

IGBT模塊封裝及車(chē)用變流器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

IGBT模塊封裝及車(chē)用變流器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證說(shuō)明。
2021-05-19 14:52:2237

賽晶半導(dǎo)體自主研發(fā)的IGBT模塊有新突破

這是賽晶半導(dǎo)體自主技術(shù)IGBT模塊的首個(gè)批量訂單,標(biāo)志公司IGBT模塊取得客戶(hù)認(rèn)可并開(kāi)始批量銷(xiāo)售和應(yīng)用
2022-02-14 16:34:461055

下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)--環(huán)氧灌封技術(shù)

國(guó)內(nèi)下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì);在電力電子風(fēng)電新能源車(chē)用1200V以上領(lǐng)域;高耐熱低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧正在逐步取代硅膠灌封
2022-02-20 16:06:483058

IGBT功率模塊封裝中先進(jìn)互連技術(shù)研究進(jìn)展

隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高,對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來(lái)越高。文 章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電
2022-05-06 15:15:556

IGBT模塊在電力電子技術(shù)中的應(yīng)用

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上,具有節(jié)能
2022-05-12 10:12:092111

IGBT功率模塊封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹,給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251

賽晶攜最新自主研發(fā)IGBT模塊亮相2022年汽車(chē)電子創(chuàng)新技術(shù)研討會(huì)

上,賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持總監(jiān)馬先奎先生,發(fā)表主題報(bào)告“電動(dòng)車(chē)用功率模塊的發(fā)展趨勢(shì)-從工業(yè)級(jí)到汽車(chē)級(jí)”。介紹了乘用車(chē)對(duì)功率模塊技術(shù)需求,以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)及特點(diǎn),并展示了面向新能源汽車(chē)領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊
2022-08-12 10:44:30647

介紹一些大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)

PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39513

華潤(rùn)微IGBT模塊封裝產(chǎn)線今年底通線

? ? ? 日前,華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,由潤(rùn)安科技負(fù)責(zé)實(shí)施的IGBT模塊封裝產(chǎn)線將于今年年底前通線,產(chǎn)能將隨項(xiàng)目建設(shè)的推進(jìn)逐步提升。 華潤(rùn)微IGBT業(yè)務(wù)主要以單管為主,但是預(yù)計(jì)未來(lái)模塊
2022-11-28 16:26:05888

數(shù)字萬(wàn)用表|IGBT模塊的檢測(cè)方法

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-05 10:45:103099

數(shù)字萬(wàn)用表|IGBT模塊的檢測(cè)方法

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-17 14:56:472736

BJT,MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析

智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430

IGBT模塊技術(shù)

IGBT模塊是一種半導(dǎo)體模塊,它是一種集成了可控硅和可控硅晶體管的模塊,它可以提供高效的電力控制。
2023-02-17 17:52:231078

IGBT模塊接口

IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211011

igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單,只有一個(gè)IGBT晶體管,一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:509150

常見(jiàn)IGBT模塊及原理分析

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類(lèi)。
2023-02-20 17:32:254883

IGBT功率模塊是什么?

IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865

IGBT功率模塊的優(yōu)勢(shì)

IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:141760

如何判別IGBT模塊好壞

的二極管檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是,萬(wàn)用表的測(cè)試數(shù)據(jù)并不具有通用性,只能作為參考依據(jù)。 01 模塊結(jié)構(gòu) 以常見(jiàn)的62mm封裝IGBT模塊為例,其內(nèi)部由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片、FWD(續(xù)
2023-02-23 16:05:133

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝
2023-06-02 09:09:29586

IGBT功率模塊封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解,可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。 絲網(wǎng)印刷目的: 將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備 設(shè)備: BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410

IGBT模塊封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952

國(guó)產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊IGBT模塊
2023-07-22 16:09:301502

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294

IGBT模塊的全銅工藝技術(shù)介紹

的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通高速、重載技術(shù)的發(fā)展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高,對(duì)大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來(lái)越高的要求,需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運(yùn)行可靠性來(lái)滿(mǎn)足新一代牽引動(dòng)力的應(yīng)用需求。
2023-09-07 09:09:491059

什么是IGBT模塊(IPM Modules)

IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn),以滿(mǎn)足
2023-09-12 16:53:531805

逆變器IGBT模塊的使用分析,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)

逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊技術(shù)參數(shù)確定使用方案,計(jì)算
2023-09-20 17:49:521052

igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎?

igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào),而且
2023-10-19 17:01:221318

激光焊錫技術(shù)IGBT引腳模塊焊接的應(yīng)用

IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。因其具備節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),按照其電壓的高低,可以分為高壓
2023-10-23 16:26:191034

什么是IGBTIGBT模塊封裝的痛點(diǎn)與難點(diǎn)

IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451107

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊igbt器件等這些的區(qū)別是什么?

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270

IGBT模塊封裝工藝流程 IGBT封裝技術(shù)的升級(jí)方向

IGBT模塊封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
2023-11-21 15:49:45673

IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來(lái)展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724

常見(jiàn)的汽車(chē)IGBT模塊封裝類(lèi)型有哪些?

IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35712

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專(zhuān)注于電力管理、汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082

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