本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法,以?xún)蓡卧獮槔?用模擬萬(wàn)用表測(cè)量,判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu),其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見(jiàn)故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量。
2018-05-22 09:15:53
9392 IGBT 功率模塊工作過(guò)程中存在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,這些損耗以熱的形式耗散,使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion,CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
4436 IGBT有源鉗位技術(shù)的介紹
2023-02-06 14:39:42
1433 
IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、UPS等設(shè)備。
2023-02-22 15:11:41
2220 
最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱能力
2023-08-07 10:29:20
1349 
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn),汽車(chē)級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過(guò)程中,模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
2023-12-29 09:45:05
597 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫升(即殼溫與環(huán)境溫度的差異)。
2024-03-22 09:58:08
249 
IGBT封裝新人報(bào)道,本人做IGBT封裝的,以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
IGBT封裝過(guò)程中有哪些關(guān)鍵點(diǎn)?
2019-08-26 16:20:53
可靠性與能效是當(dāng)今逆變器設(shè)計(jì)考慮的兩個(gè)主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強(qiáng)健的模塊設(shè)計(jì)與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術(shù)融合在一起。基于最新技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此
2021-09-09 08:27:25
IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。 散熱環(huán)節(jié)
2012-06-20 14:36:54
` IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過(guò)程 1 IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗; 2 結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 3 IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上; 4 散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。 散熱環(huán)節(jié)
2012-06-19 11:35:49
本帖最后由 電力電子2 于 2012-6-19 17:00 編輯
IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹 (1)防爆電氣用熱管散熱器:專(zhuān)門(mén)為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開(kāi)發(fā)
2012-06-19 13:52:17
IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹 (1)防爆電氣用熱管散熱器:專(zhuān)門(mén)為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開(kāi)發(fā)的新一代散熱產(chǎn)品。具有熱阻小、熱響應(yīng)速度快、熱傳導(dǎo)迅速、冷熱源可分離、等溫
2012-12-12 21:01:48
IGBT模塊是由哪些模塊組成的?IGBT模塊有哪些特點(diǎn)?IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢?
2021-11-02 07:39:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1,IGBT單管:IGBT,封裝較模塊小,電流通常在100A以下,常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2,IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1,IGBT單管:IGBT,封裝較模塊小,電流通常在100A以下,常見(jiàn)有TO247 等封裝,sg 本人常用。2,IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
感抗差異,并對(duì)并聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均流產(chǎn)生影響,而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。1.2 并聯(lián)技術(shù)遵循的原則1)模塊的選擇:通過(guò)選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元,可以提高器件參數(shù)的一致性
2015-03-11 13:18:21
IGBT有哪些封裝形式?
2019-08-26 16:22:43
IGBT的介紹和應(yīng)用,基礎(chǔ)知識(shí)
2015-06-24 22:42:27
各位大神好,想請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊,型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊,是驅(qū)動(dòng)模塊,不是驅(qū)動(dòng)芯片,我在網(wǎng)上查找到了EXB840,但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn),所以想問(wèn)有沒(méi)有類(lèi)似的新產(chǎn)品,求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
封就會(huì)碰到問(wèn)題;硅膠連續(xù)在高溫200度環(huán)境下工作;性能會(huì)變差;底部會(huì)產(chǎn)生VOLD;AL線形變;出現(xiàn)器件擊穿燒毀問(wèn)題;代表世界最新技術(shù)的日本幾家超級(jí)IGBT模塊大廠(M社/F社)已逐步采用高耐熱;低熱
2022-02-20 15:29:36
作為國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車(chē)永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品,日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目,成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
微電子三級(jí)封裝是什么?新型微電子封裝技術(shù)介紹
2021-04-23 06:01:30
本文介紹了新一代IHM.B具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設(shè)計(jì)、材料、焊接和安裝技術(shù)。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設(shè)計(jì)的3.3kV IGBT3芯片,在保持機(jī)械
2010-05-04 08:07:47
IGBT模塊是有IGBT與FWD通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,是能源變換與傳輸?shù)暮诵牟考R彩亲冾l電源內(nèi)部最主要的核心部件之一,在內(nèi)部有著重要的作用,今天中港揚(yáng)盛的技術(shù)員來(lái)給大家講講
2021-12-28 06:25:45
模塊輸出電流能力會(huì)約束整個(gè)逆變器的功率密度,最大結(jié)溫是IGBT開(kāi)關(guān)運(yùn)行的限制因素,本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃,并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
專(zhuān)業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專(zhuān)業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國(guó)收購(gòu)IGBT模塊 專(zhuān)業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話(huà)
2020-07-30 13:20:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
常用IC封裝技術(shù)介紹
2012-12-05 08:21:29
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊,有誰(shuí)有渠道的幫幫忙!
2020-01-12 10:47:52
求 fs75r06ke3(IGBT 模塊) 的PCB封裝 !謝謝!
2018-02-12 17:44:52
引言混合信號(hào)處理模塊是歐比特公司推出的一款SIP芯片,其將特定(可定制)的混合信號(hào)模塊采用立體封裝技術(shù)制作而成。本文介紹混合信號(hào)模塊的構(gòu)況以及應(yīng)用方法。
2019-07-24 07:46:54
鮮 飛(烽火通信科技股份有限公司,湖北 武漢 430074)摘 要:微電子技術(shù)的飛速發(fā)展也同時(shí)推動(dòng)了新型芯片封裝技術(shù)的研究和開(kāi)發(fā)。本文主要介紹了幾種芯片封裝技術(shù)的特點(diǎn),并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)及方向進(jìn)行了
2018-11-23 16:59:52
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)?在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),需要考慮哪些問(wèn)題?IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些?上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問(wèn)題?
2021-04-08 06:21:04
從這個(gè)圖上可以看到,這幅圖是650伏600安的IGBT。下面介紹一下IGBT封裝的工藝技術(shù)。IGBT主要包括以下幾個(gè)步驟,第一個(gè)步驟就是焊接,就是前面圖中所看到的DBC基板與底板,焊接關(guān)鍵點(diǎn)是什么,第一
2012-09-17 19:22:20
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
197 HiPakTM高壓SPT IGBT 模塊的SOA 新基準(zhǔn)
摘要院介紹了電壓額定值從2.5kV到6.5kV的新型高壓HiPakTM IGBT模塊系列遙新系列HiPakTM模塊采用了ABB最新研制的高壓SPT IGBT 和二
2009-11-11 10:38:53
6 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件,其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:58
71 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15
924 
西門(mén)康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:29
1025 
三菱IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:51
1093 
SEMiX13六管封裝IGBT模塊
電流達(dá)到200A,采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的無(wú)焊壓接技術(shù)用于PCB裝配和電纜連接
電流達(dá)到200A,采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的無(wú)焊壓接技術(shù)用于PCB裝配和電纜連接
2007-12-22 11:13:12
712
IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)
摘要:對(duì)IGBT柵極驅(qū)動(dòng)特性、柵極串聯(lián)電阻及其驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了探討。提出了慢降柵壓過(guò)流保護(hù)和過(guò)
2009-07-15 07:57:59
2426 
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:47
2392 本內(nèi)容提供了富士電機(jī)IGBT模塊應(yīng)用手冊(cè) 1 元件的構(gòu)造與特性 2 富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 3 通過(guò)控制門(mén)極阻斷過(guò)電流 4 限制過(guò)電流功能 5 模塊的構(gòu)造 6 IGBT模塊電路構(gòu)造
2011-04-15 16:25:31
264 從超聲引線鍵合的機(jī)理入手,對(duì)大功率IGBT 模塊引線的材料和鍵合界面特性進(jìn)行了分析,探討了鍵合參數(shù)對(duì)鍵合強(qiáng)度的影響。最后介紹了幾種用于檢測(cè)鍵合點(diǎn)強(qiáng)度的方法,利用檢測(cè)結(jié)果
2011-10-26 16:31:33
66 IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品
2017-05-14 14:31:17
11985 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:34
12273 
本文詳細(xì)介紹了光收發(fā)模塊的封裝技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。
2017-11-06 10:51:56
58 了,由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻Rg,過(guò)流過(guò)壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊
2017-11-14 14:20:20
25 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT
2017-11-23 10:07:39
74853 
的重要因素。基于壓接式IGBT模塊雙脈沖測(cè)試平臺(tái),介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法,分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系,并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:49
9 IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管有開(kāi)關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點(diǎn),但也
2018-05-18 13:12:00
14868 
S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊,額定值高達(dá)1700V和450A. 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開(kāi)關(guān)速度。
2018-09-05 08:44:00
4843 現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式:一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝成IGBT模塊,再通過(guò)硅脂與散熱器配合安裝的方式,它以IGBT模塊為單元進(jìn)行功率等級(jí)的選配,具備通用性強(qiáng)、可拆裝互換、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等特點(diǎn),其降低了對(duì)應(yīng)用開(kāi)發(fā)水平的要求,但存在如下問(wèn)題:
2020-12-02 15:36:06
3859 
車(chē)輛運(yùn)行時(shí),特別實(shí)在擁堵的路況時(shí)的頻繁啟停,此時(shí)控制器的IGBT模塊工作電流會(huì)相應(yīng)的頻繁升降,從而導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫快速變化,對(duì)于IGBT模塊的壽命是個(gè)很大的考驗(yàn);
2021-02-01 13:58:03
4411 
IGBT模塊封裝及車(chē)用變流器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證說(shuō)明。
2021-05-19 14:52:22
37 這是賽晶半導(dǎo)體自主技術(shù)IGBT模塊的首個(gè)批量訂單,標(biāo)志公司IGBT模塊取得客戶(hù)認(rèn)可并開(kāi)始批量銷(xiāo)售和應(yīng)用
2022-02-14 16:34:46
1055 
國(guó)內(nèi)下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì);在電力電子風(fēng)電新能源車(chē)用1200V以上領(lǐng)域;高耐熱低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧正在逐步取代硅膠灌封
2022-02-20 16:06:48
3058 
隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高,對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來(lái)越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電
2022-05-06 15:15:55
6 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上,具有節(jié)能
2022-05-12 10:12:09
2111 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹,給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:42
51 上,賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持總監(jiān)馬先奎先生,發(fā)表主題報(bào)告“電動(dòng)車(chē)用功率模塊的發(fā)展趨勢(shì)-從工業(yè)級(jí)到汽車(chē)級(jí)”。介紹了乘用車(chē)對(duì)功率模塊的技術(shù)需求,以及賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)及特點(diǎn),并展示了面向新能源汽車(chē)領(lǐng)域的HEEV封裝SiC模塊,
2022-08-12 10:44:30
647 
PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù),包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39
513 ? ? ? 日前,華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,由潤(rùn)安科技負(fù)責(zé)實(shí)施的IGBT模塊封裝產(chǎn)線將于今年年底前通線,產(chǎn)能將隨項(xiàng)目建設(shè)的推進(jìn)逐步提升。 華潤(rùn)微IGBT業(yè)務(wù)主要以單管為主,但是預(yù)計(jì)未來(lái)模塊
2022-11-28 16:26:05
888 IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-05 10:45:10
3099 
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-17 14:56:47
2736 
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,以及IGBT。這樣,可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:14
2430 
IGBT模塊是一種半導(dǎo)體模塊,它是一種集成了可控硅和可控硅晶體管的模塊,它可以提供高效的電力控制。
2023-02-17 17:52:23
1078 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:21
1011 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單,只有一個(gè)IGBT晶體管,一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:50
9150 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類(lèi)。
2023-02-20 17:32:25
4883 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:55
2865 IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:14
1760 
的二極管檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是,萬(wàn)用表的測(cè)試數(shù)據(jù)并不具有通用性,只能作為參考依據(jù)。 01 模塊結(jié)構(gòu) 以常見(jiàn)的62mm封裝IGBT模塊為例,其內(nèi)部由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片、FWD(續(xù)
2023-02-23 16:05:13
3 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52
555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29
586 
IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解,可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的:
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備:
BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:41
0 單元,IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:52
2952 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:30
1502 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:54
3294 
的安全運(yùn)行至關(guān)重要。隨著軌道交通高速、重載技術(shù)的發(fā)展和電力電子裝置綠色、智能要求的不斷提高,對(duì)大功率IGBT 模塊的性能與可靠性提出了越來(lái)越高的要求,需要更高的功率密度、更高的工作溫度、更高的運(yùn)行可靠性來(lái)滿(mǎn)足新一代牽引動(dòng)力的應(yīng)用需求。
2023-09-07 09:09:49
1059 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn),以滿(mǎn)足
2023-09-12 16:53:53
1805 
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案,計(jì)算
2023-09-20 17:49:52
1052 
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào),而且
2023-10-19 17:01:22
1318 IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。因其具備節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),按照其電壓的高低,可以分為高壓
2023-10-23 16:26:19
1034 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:45
1107 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:28
1270 IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高,高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
2023-11-21 15:49:45
673 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07
724 
IGBT行業(yè)的門(mén)檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35
712 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專(zhuān)注于電力管理、汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21
469 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi),使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:23
1082
評(píng)論