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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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國產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)
進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過30%來絞殺國產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使...
SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng) 第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè)平臺(tái),支持±5000V/2000A(可擴(kuò)展...
2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 430 0
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)
近日,由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)在揚(yáng)州隆重舉行。
2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC揚(yáng)杰科技 849 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...
見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 761 0
電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?
在探討電機(jī)控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅(qū)動(dòng)為何需要隔離的問題時(shí),我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機(jī)控制中的應(yīng)用,進(jìn)而分析隔離技術(shù)在其...
電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊
國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì),既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。
逆變器應(yīng)用中國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比
國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲(chǔ)能變流器逆變損耗計(jì)算對(duì)比以及國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管趨勢(shì)分析: 一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對(duì)比 以下為...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與H...
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就...
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...
IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹脂技術(shù)的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢(shì)探析
一、環(huán)氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環(huán)氧樹脂主要通過灌封(Potting)和轉(zhuǎn)模成型(...
2025-02-17 標(biāo)簽:封裝IGBT環(huán)氧樹脂 1.4萬 0
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會(huì)。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...
2025-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 440 0
125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)應(yīng)用中,國產(chǎn)SiC(碳化硅)模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面: ? 傾...
2025-02-11 標(biāo)簽:IGBTSiC儲(chǔ)能變流器 369 0
逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比
傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳...
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