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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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中芯國際、三星(中國)半導體有限公司、SK海力士半導體(中國)有限公司、華潤微電子、華虹宏力、英特爾半導體(大連)有限公司、臺積電(臺灣)、華力微電子、...
國產替代是個好機會。危機是資金投入特別大回報周期非常長,是集成電路行業最大的特點,可以堅持到最后企業就少了。
先說個冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar...
一、環氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應用現狀 1. **核心應用場景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環氧樹脂主要通過灌封(Potting)和轉模成型(...
IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業應用...
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優點和缺點?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優點和缺點? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強項和弱點,本文著重...
獨家!跑贏大市,揭秘華潤微2020年半年報凈利潤大漲背后的玄機
本站原創! (電子發燒友報道 文/章鷹 )2020年第二季度,全球受到疫情的影響經濟大幅度下滑,但是半導體行業呈現了極強的抗跌性。2020年上半年,中國...
隨著現代電力電子技術的高頻大功率化的發展,開關器件在應用中潛在的問題越來越凸出,開關過程引起的電壓、電流過沖,影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...
IGBT的基礎知識--IGBT的基本結構,參數選擇,使用注意
1.IGBT的基本結構 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國
2010-05-27 標簽:IGBT 1.3萬 0
近幾年來,電動汽車、電化學儲能、以及光伏和風電等新能源市場的快速發展,市場對功率器件的需求量大增,特別是電動汽車的興起,讓IGBT常年處于供應緊張狀態,...
拆卸貼片集成塊或其他貼片器件,在靜電不影響的情況下,使用兩個電烙鐵協作加熱取下,往往比熱風焊臺更有效。有的電路板遇熱或溫度高點,電路板就會變色。
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術,英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業電機驅動應用進行芯片優化,實現更高功率密度與更...
所謂功率半導體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
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