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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt資訊

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      2020-06-05 標簽：整流器IGBT 2.0萬 0

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      igbt和碳化硅區別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導體器件，它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gat...

      2023-08-25 標簽：UPSIGBT晶體管 2.0萬 0

      國內IGBT兩大龍頭廠商離A股上市又近一步

      12月30日，比亞迪晚間公告稱，擬籌劃控股子公司比亞迪半導體分拆上市，并授權公司及比亞迪半導體管理層啟動分拆比亞迪半導體上市的前期籌備工作。

      2020-12-31 標簽：集成電路半導體比亞迪 1.9萬 0

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      IGBT約占電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定...

      2018-01-16 標簽：新能源汽車igbt 1.8萬 0

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      ①在MOS開關過程中，如果柵極電阻較小，發生了柵極電壓震蕩，多半是因為MOS源極寄生電感太大導致。根據U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開通...

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