基本半導體推出了一種混合式IGBT（混合碳化硅分立器件）
傳統電力電子應用中，IGBT的續流二極管一般以硅基FRD（快恢復二極管）為主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關斷行為的潛力，對開關損耗是很大的拖累。為此，基本半導體研發推出了一種混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）來解決這一問題，即在IGBT中把續流二極管用碳化硅肖特基二極管替代硅基FRD，可使IGBT的開通與關斷的潛力得以全部釋放，開關損耗大幅降低。
今天的“SiC科普小課堂”——混合式IGBT話題第五講中，基本半導體市場部總監魏煒將從應用角度為大家介紹不同拓撲中混合式IGBT器件的應用優勢如何體現，以及基本半導體的產品選型推薦。
基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，在部分應用中可以替代傳統的IGBT，使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于儲能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領域。
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審核編輯：劉清
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原文標題：SiC科普小課堂 | 談混合式IGBT的應用場景及基本半導體的相應產品推薦
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